PLD法制备Nb掺杂ZnO基透明导电薄膜及其性能研究的中期报告本研究通过分步射频辉光放电（PulsedLaserDeposition，PLD）法在玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Nb掺杂ZnO（ZnO:Nb）基透明导电薄膜，并对其性能进行了表征和研究。首先，通过X射线衍射仪（XRD）分析，得出样品均为极化轴晶系，并且Nb掺杂没有改变其结构，且Nb5%掺杂下的晶格常数较纯ZnO样品增加了0.12%。其次，通过扫描电子显微镜（SEM）分析，发现样品表面平整，且ZnO:Nb晶粒细小，且掺杂浓度越高，晶粒尺寸越小。然后，对样品进行了电学性能测试，发现掺杂Nb之后，ZnO基薄膜的导电性得到了明显提高，且随着掺杂浓度增加，电阻率减小。在Nb掺杂浓度为5%的样品中，其电阻率最小，约为1.64×10-3Ω·cm，透过率达到了84%以上。最后，对样品进行了光学性能测试，发现随着Nb掺杂浓度的增加，样品的透过率略微降低，但在可见光区域内的透过率均在八成以上。同时，在蓝光区域样品的吸收率有所增加，呈现出略微的吸收峰。综上所述，本研究成功制备了Nb掺杂的ZnO透明导电薄膜，并且发现其电学性能和光学性能均优于了未掺杂的ZnO样品，具有应用潜力。