Si（111）上SiC的CVD外延生长研究的开题报告题目：Si（111）上SiC的CVD外延生长研究研究背景和意义：外延生长技术是制备半导体器件必不可少的方法之一。SiC是一种非常有希望应用于高温、高功率、高频等领域的半导体材料。CVD外延法是制备SiC薄膜的常用方法，它具有操作简单、薄膜均匀、晶体质量好等特点，因此在实际工业生产中得到了广泛应用。然而，Si（111）表面的结构具有惯性，不利于SiC的外延生长，因此如何解决这一难点问题是本研究的重点。研究内容和方法：本研究拟采用CVD外延法，结合化学剂和表面处理方法，研究Si（111）表面SiC的外延生长条件。具体实验步骤包括：1.表面处理：采用化学方法或MOCVD方法对Si（111）表面进行处理，以改变表面结构特征，利于SiC的晶体生长。2.束缚层：引入第三方物质，如Al、B等，形成束缚层，增加SiC晶体生长的活性。3.加载反应气氛：控制反应器的温度和气氛，选择适合的载气和原料气体。4.硅碳薄膜：依据前期实验结果，进行合理选择，研制合适的诱导生长剂和添加剂，成长SiC薄膜。研究预期成果：通过对Si（111）表面SiC的外延生长条件的研究，预计能够获得以下成果：1.确定适合Si（111）表面的处理方法，解决SiC生长的难点问题。2.获得理想的SiC晶体薄膜，为后续工业生产提供技术支持。3.对SiC的基础研究起推动作用，为未来的研究提供重要的理论和技术指导。参考文献：[1]Munz,Wo-Yueh;Yan,Pengfei;Shi,Zhiming;Rokosz,MatthewJ.;Hornbachner,Benjamin.“Siliconcarbide:aplaygroundforchargecarrierphysics”.Elsevier,2019.[2]Li,J.“GrowthandCharacterizationofHighQualityCrystallineSiCEpilayers”.MasterthesisinKTH,2019.[3]Theis,Peter;Yang,Guosheng.“EnhancementmodeSiCMOSFETsforindustrialapplications”.JohnWiley&SonsLtd,2010.