Si（111）上SiC的CVD外延生长研究的中期报告该研究利用CVD技术在Si（111）衬底上生长SiC薄膜，并进行了中期报告。以下是该研究的主要内容：1.实验方法：采用化学气相沉积（CVD）技术，在Si（111）衬底上先以高温（1300℃）生长一层SiCbuffer层，然后在低温（1200℃）下生长主要的SiC薄膜。生长过程中使用硅烷（SiH4）和乙烯（C2H4）作为源气体，并在反应室内维持一定的气压和流速。2.材料表征：使用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱等手段对生长的SiC薄膜进行表征。XRD结果表明，样品的取向关系为（0001）SiC//（111）Si，且生长的SiC薄膜具有较好的晶体质量。SEM观察表明，生长的SiC薄膜表面光滑，且具有一定的结晶度。拉曼光谱进一步证实了样品的SiC结构和取向关系。3.生长机制：基于实验结果和分析，提出了生长SiC薄膜的机制。首先，在高温下生长buffer层，可以形成合适的表面形貌和结晶种子，为后续薄膜生长提供良好的基础。然后，在低温下生长主要的SiC薄膜，SiH4和C2H4在衬底表面附着并反应，形成SiC晶体。由于Si（111）衬底的取向关系，使得SiC晶体沿（0001）取向生长，形成具有较好结晶性质的薄膜。4.下一步工作：在研究过程中，发现生长温度和反应条件对SiC薄膜的晶体质量和形貌具有较大影响。因此，下一步的研究将主要集中在优化反应条件，进一步提高SiC薄膜的质量和结晶度。同时，将研究SiC薄膜在器件制备方面的应用，探索新型Si/SiC异质结和SiC基器件的性能和应用前景。