SiC外延生长加热系统电磁场模拟分析的中期报告本文是SiC外延生长加热系统电磁场模拟分析的中期报告，主要介绍了研究过程中的实验结果和分析。首先，我们对加热系统进行了模型化，建立了数学模型，并运用COMSOLMultiphysics软件进行了电磁场模拟。模拟结果表明，在系统中加入了石英管后，系统中的电磁场分布得到了有效的改善，特别是石英管较厚的一端电磁场密度更加均匀。接着，我们进行了实验验证。实验结果显示，经过改良后的加热系统中形成的硅碳化物外延片均匀性得到了明显的提升。此外，我们还进行了温度分布的实测，结果表明石英管的引入导致加热区域的温度分布更加均匀。进一步分析发现，在石英管较厚的一端，电场强度的分布也更加平均。这是因为石英管的引入，可以减弱尖端场的影响，从而平缓了电磁场的变化。综上所述，我们通过数学模型和实验验证，证明了石英管的引入可以改善系统内部的电磁场分布，提升硅碳化物外延片的均匀性，改善加热区域的温度分布，为后续SiC外延生长工艺提供了有效的参考和指导。