、、一新型喷射成形轻质高导热低膨胀!电子封装材料∀张济山、、一‘新型喷射成形轻质高导热低膨胀#电子封装材料张济山∃北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京%&&&∋()摘要传统封装材料的性能已经不能满足微电子技术飞速发展的需要。为此,国内外相继采用喷射成形技术研一。究开发了适用于电子行业发展的新型#系列合金这种高硅∃∗&+,−./0)合金具有细小均匀的显微组织,以及均、匀和各向同性的性能,同时具有低热膨胀系数高热导率和低密度等特点。与普通碳化硅增强金属基复合材料∃1123)不同,新合金可以用普通刀具进行加工,并且容易进行镀镍、铜、银和金等涂及处理。采用上述材料已成功地。制备了航空应用的微波放大器模块,比全可伐合金封装减重约(&0以上对喷射成形一合金的研究开发现状进行#。了简单评述关键词电子封装3一#合金喷射成形一45.6789:;7<5=>?≅/Α5?≅/5=∗%!Β#5Χ/7;Δ5685Ε8?Δ?18/578#3./≅>;.Φ≅57<8#ΒΓ68Δ3;Δ8Δ=Η?≅Η58/2;Δ=ΙΧ/Δ?ϑΗ4ΚΛ3≅8Δ∃/8/5Μ59>8Ν;78/;79Ο;7=Π8Δ55=15/8#38Δ=18/578#3,ΘΔ#Π573#/9;Ο5#5Δ558Δ=Φ55≅Δ;#;?9Ρ53Δ?,Ρ5#ΣΔ?%&&&∋()37855Τ7;Τ57/53;/78/;Δ8Τ858?Δ?58ΔΔ;;Δ?578/#39/5Δ553;78Τ5Π5;Τ5Δ/;ΥΝ//Φ≅Ο=#Ε#Ο≅=Ο==#<Ο<ς一57;5#55/7;Δ5/55≅Δ;#;?9Φ≅575Ο;758Δ5.35753;Ο∗%!8##;933Ι8/8Ν#5Ο;78ΤΤ##58/;ΔΔ5#55/7;Δ一53Δ=Ι3/7#53≅8Π5ςΝ55Δ=5Π5#;Τ5=./≅3Τ789Ο;7<Δ?/55≅ΔΩΙ5Ν;/≅Δ=5Π5#;Τ5=5;ΙΔ/7#538Δ=!Δ2≅#Δ8Φ≅53Τ789Ο;7<5=8##;93./≅≅?≅∗%5;Δ/5Δ/3∃∗&+,;./0)3≅;.ΟΔ58Δ=≅;<;?5Δ5;Ι3<#57;3/7Ι5/Ι753,。Γ55##5Δ/5;#ΔΤ75≅5Δ3#Π5Τ7;Τ57/#53,8Δ=53Τ558##9/≅59≅8Π5,8//≅538<5/<5,#;.57/≅57<8#5ΓΤ8Δ3#;7Χ;5ΟΟ#5一5Δ/3,≅Ξ?≅57≅58/;;Δ=Ι5/#Π/9Ψ7=#;.57=5Δ3/9ς5;<Τ875=./≅/≅5/78=/;Δ8#Τ85Ε8?Δ?<8/578#3ΘΔ#Ε5/≅55;<<;ΔΞ27;ΔΟ;755=Δ#5/8#Δ#8/7Γ5;<Τ;3/53∃1123),/≅5Δ5.8##;9358ΔΝ5<85≅Δ5=./≅/≅5/78=/;Δ8#5Ι//#Δ?/;;#3,8Δ=58ΔΝ5583##95;8/5=Ν94Ξ,2Ι,?;7ςΙΦ≅5Δ5.<8/578#3≅8Π5Ν55Δ3Ι55533ΟΙ##98ΤΤ#一5=%%、857;Δ8Ι/#58#Δ=Ι3/793Ι5≅83<57;.8Π5<8?Δ#Ο#57.#/≅8ς∗&写.5#?≅/75=Ι5/;Δ5;####〕875=./≅/≅5Τ85Ε8?#Δ?<8=5;ΟΜ;Π878##;9Ν7#5Ο75Π5.;Ο/≅57535875≅8Δ==5Π5#;ΤΥ一ς<5Δ/;Ο/≅53Τ789Ο;7<5=∗%!8##;93%∗?#Π5ΔΝ5#;.Μ59.;7=35#55/7;Δ#5Τ85Ε8?ΞΔ?,一!8##;93,3Τ789Ο;7<#Δ?Ψ导体器在作过程中不可避免地涉%∃%)热膨胀半件工电子装材料与应用状及存在的问、封研究现。,及到温度的变化在此过程中芯片与芯片基座表面连线以题及焊点之间形成的热应力将对电子封装结构产生不利的影电子封装的主要作用是为精细电子线路提供机械支撑以响,有可能导致电子线路的损坏或造成封装结构的变形等不,。,及作为导电连接介质在微电子技术的发展中占有不可或缺良后果因此电子封装材料的热膨胀系数∃2ΦΒ)就成为特别。。的重要地位电子封装的最基础部分∃零级)一般被认为是半重要的一个材料参数封装结构中半导体材料和封装材料之,、。导体芯片∃集成电路)其中集成了逻辑门晶体管和门与门之间2ΦΒ的良好匹配可以显著降低热应力半导体材料一般具。,ςς间的连线这些均直接集成在芯片上芯片本身由半导体材料有较低的2ΦΒ3,例如,∗%的2ΦΒ为Ζ(一[(