会计学一、结构、符号(fúhào)和分类分类(fēnlèi)：双极性晶体管的常见(chánɡjiàn)外形图如图二、放大(fàngdà)条件、电路及电流分配三、三极管的特性(tèxìng)曲线二、输出特性三、温度(wēndù)对特性曲线的影响2.温度(wēndù)升高，输出特性曲线向上移。四、三极管的主要参数三、极限(jíxiàn)参数U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向(fǎnxiànɡ)击穿电压。思考题提示：（1）晶体管工作于放大(fàngdà)状态的条件：NPN管：VC>VB>VE，PNP管：VE>VB>VC；（2）导通电压：硅管|VBE|=0.6~0.7V，硅管|VBE|=0.2~0.3V，例2.3.2已知NPN型硅管T1~T4各电极的直流电位如表2.3.1所示，试确定(quèdìng)各晶体管的工作状态。当UCE=10V时，IC<mA当UCE=1V，则IC<mA当IC=2mA，则UCE<V本讲主要介绍(jièshào)了以下基本内容：双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP晶体管的电流放大作用和电流分配关系晶体管具有放大作用的内部条件晶体管具有放大作用的外部条件IE=IB+IC=(1+)IB，IC=IB，晶体管的特性及参数VBE、Von晶体管的三个工作状态温度对晶体管参数的影响1.4场效应管引言特点(tèdiǎn)：一、结型场效应管一、增强型N沟道(ɡōudào)MOSFET(MentalOxideSemi—FET)二、耗尽(hàojìn)型N沟道MOSFET三、场效应管的主要参数4.低频(dīpín)跨导gm四、场效应管与晶体管的比较(bǐjiào)⑤场效应管的种类(zhǒnglèi)多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。例题解:(a)iD>0（或vDS>0），则该管为N沟道(ɡōudào)；vGS0，故为JFET（耗尽型）。