EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别.docx
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EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floatinggatetransister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gatetunelingoxidetransister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheimtuneling。但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。其实对于用户来说,EEPROM和FLASH的最主要的区别就是1。EEPROM可以按“位”擦写,而FLASH只能一大片一大片的擦。2。EEPROM一般容量都不大,如果大的话,EEPROM相对与FLASH就没有价格上的优势了。市面上卖的standalone的EERPOM一般都是在64KBIT以下,而FLASH一般都是8MEGBIT以上(NOR型)。3。读的速度的话,应该不是两者的差别,只是EERPOM一般用于低端产品,读的速度不需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH差不多。4。因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH是一个(SST的除外,类似于两管),所以CYCLING的话,EEPROM比FLASH要好一些,到1000K次也没有问题的。总的来说,对与用户来说,EEPROM和FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些。但对于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。Flashmemory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格),而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写,而FlashROM做不到。ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是ReadOnlyMemory的缩写,RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(DynamicRAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDRRAM。DDRRAM(Date-RateRAM)也称作DDRSDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-RambusDRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDRRAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如