濺射成長ITO/?屬/ITO多層透明導電膜之特性研究ThecharacteristicsofITO/metal/ITOmultilayertransparentconductivefilmsbysputtering研究生：楊峻銘Student:Chun-MingYang指導教授：?天財Advisor:Tien-ChaiLin共同指導教授：張慎周Co-advisor:Shang-ChouChangDepartmentofElectricalEngineeringKunShanUniversityTainan,Taiwan,R.O.C.ThesisforMasterofScienceJune2005中華民國九十四??月ITO//ITO楊峻銘*?天財**崑山科技大學電機工程系透明導電膜(transparentconductingfilms)指的是在可?光範圍內具有高穿透性，且具有?好導電性之薄膜。由於具特別的光性質及電性質，可應用在諸多?域。為?使其導電性和光穿透??加優?，本研究主要以DC磁控濺鍍法在玻璃基板上配合基板旋轉?沉積透明導電膜（ITO）以及添加夾層?屬（Ag及Ti）使形成多層膜結構（ITO/metal/ITO），探討其對薄膜結構與光電特性之影響。研究結果顯示，增加夾層?屬Ag及Ti對其整體之電阻?有下?之趨勢，因為多層膜結構可視為電阻並?效應，故ITO與?屬薄膜並?後，整體之導電機制以?屬薄膜為主，故達到?低其電阻?之目的。其中ITO/Ag/ITO最佳??之電阻?為1.57x10-5Ω-cm，平均可?光穿透?約為85%左右。而ITO/Ti/ITO最佳??之電阻?為1.7x10-4Ω-cm，平均可?光穿透?約為65%左右。退火結果顯示，ITO熱處?溫?在400℃以上時，開始有結晶相產生，而電阻?因為其熱處?所提供之動能，使晶格重新排?使缺陷消除，故電阻?呈現下?趨勢，且增加光穿透?，最佳?據電阻?為1.22x10-4Ω-cm，平均可?光穿透?約為92%左右。而ITO/Ag/ITO在500℃退火時，薄膜有ITO結晶相產生，但並未發現Ag之結晶相。?過熱處?所提供之動能，依舊有達到使晶格重新排?修補缺陷之效果，所以也?低?薄膜電阻?和保持可?光高穿透?，其最佳?據電阻?為1.22x10-5Ω-cm，平均可?光穿透?約為90%左右。*作者**指導教授iThecharacteristicsofITO/metal/ITOmultilayertransparentconductivefilmsbysputteringChun-MingYang*Tien-ChaiLin**DepartmentofElectricalEngineeringKunShanUniversityABSTRACTTransparentconductingfilmshashighpropertiesoftransmittanceandconductanceinthevisiblerange.Becauseofitsspecialopticalandelectricalproperties,itisusedformanyapplication.Inordertoincreasethetransmissionandresistivity,thisthesiswasmainlyusedDCmagnetronsputteringmethodwithsubstratespintodepositITOthinfilms.Thedifferentkindsofmetals(AgandTi)wasaddedtoformITO/metal/ITOmultilayers,thentheinfluenceofelectrical,opticalandstructuralcharacteristicswerediscussed.Theexperimentalresultsshowed,thetotalresistivitydecreasedwhenthemetalsofAgandTiadded,becausemultilayersstructurecanregardasaeffectofparallelresistancecircuit.Thetotalresistancewasverylowbecauseofhighconductivemetalfilminparallelstru