警告阿闪光词或短语必须在被删除之前的状态正在制定方案。累积比特闪存编程在单词或短语是不允许的。快闪记忆体可被理解为字节对齐的话，或错位的话。读访问时间为一个字节总线周期和一致的话，两个总线周期错位的话。对于闪存，擦除位读取和程序1位值为0。这是不可能的，从闪存块读命令，而任何具体的闪存模块执行。它可以从一个闪存模块读取数据的同时命令在不同的闪存块执行。P均闪光和D-与纠错码（ECC）的实施，可以解决单个比特错误和检测双比特错误快闪记忆体。为P-快闪记忆体，环境保护运动委员会的执行需要一个节目将于8字节对齐的基础上（一个Flash短语）做。由于P-闪存始终是读由词组，只有一个包含字节或字短语访问单比特错误将得到纠正。19.1.1术语命令写序-微控制器的指令序列执行内置（包括编程和擦除算法）在快闪记忆体。Ḏ-闪存-的D-闪存构成了非易失性存储器的数据存储。Ḏ闪光部门-该D-闪存部门是最小的D部分，快闪记忆体，可以被删除。在D-闪存部门包括一个256字节总数的4行64个字节。非易失命令模式-一种非易失性存储器模式使用CPU设置的FCCOB通过登记为Flash命令执行所需的参数。词组-一个不结盟集团4个16位字内的P-快闪记忆体。每个短语包括8个单比特错误校正和故障检测的双位ECC的位在词组。个P-闪存-的P-闪存构成了申请的主要非易失性内存存储。个P-闪光部门-的P-闪存部门的P最小的部分，快闪记忆体，可以被删除。每个P-闪存部门包含1024个字节。计划仪表飞行规则-位于非易失性的信息登记在P-闪存块，它包含了设备ID，版本ID，以及经实地计划。该方案是可见的飞行技术研究所在全球内存映射通过设置在MMCCTL1寄存器PGMIFRON位。S12XS系列参考手册，修订版1.09飞思卡尔半导体556初步128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1）19.1.2特点19.1.2.1的P-Flash等功能•128字节的P-闪存的1128Kbyte闪存组成的块划分为128个部门1024字节•单比特错误改正，并且在64位短语双位错误检测在读取操作•自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代•快速扇区擦除和短语程序操作•灵活的保障计划，以防止意外编程或擦除的P-快闪记忆体19.1.2.2Ḏ闪光功能•8字节的D-快闪记忆体的一个8Kbyte闪存块组成，分成32个部门的256字节•单比特错误改正，并且在字双位错误检测在读取操作•自动编程和擦除算法与核查和校验位的ECC一代•快速扇区擦除和文字程序操作•保护计划，以防止意外编程或擦除的D-快闪记忆体•能力计划后，以4个字在突发序列19.1.2.3其它闪存模块功能•无需外部高压电源供应闪存程序所需和擦除操作•产生中断命令完成对Flash和Flash错误检测•安全机制，防止未经授权的访问闪存19.1.3框图该闪存模块的框图如图19-1。S12XS系列参考手册，修订版1.09飞思卡尔半导体557128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1）命令中断请求错误中断请求闪光接口寄存器保护16位内部总线安全振荡器时钟（XTAL）时钟分频器FCLK处理器内存控制器便条内存384x16bitsḎ闪光4Kx22扇区0部门1部门31图19-1。FTMR128K1框图19.2外部信号描述该闪存模块不包含任何信号，连接片外。19.3内存映射和寄存器本节介绍内存映射和闪存模块的寄存器。从闪存模块未执行的内存空间读取数据是不确定的。写访问权限没有得到执行或保留的内存空间在Flash模块将被忽略的闪存模块。S12XS系列参考手册，修订版1.09558飞思卡尔半导体128字节Flash模块（S12XFTMR128K1V1）19.3.1模块内存映射地方S12X架构的P-闪存之间的全局地址0x7E_0000和0x7F_FFFF内存如表19-2。该P-Flash存储器映射如图19-2。表19-2。个P-快闪记忆体寻址全球通讯簿大小（字节）描述0x7E_0000-0x7F_FFFF128亩的P-闪光块0包含Flash配置场（见表19-3）该FPROT寄存器，第19.3.2.9描述的，可设置为保护该地区的闪存意外编程或擦除。三个独立的内存区域，一个不断向上的全局地址在闪存0x7F_8000（下称区），一个日益下降，从全局地址在闪存0x7F_FFFF（称为高地区），并在闪存的，其余的地址可以保护激活。快闪记忆体解决受这些受保护地区列在P-快闪记忆体映射。较高的地址区域主要是针对持有引导装载程序代码，因为它涵盖的向量空间。默认保护设置以及安全信息，使微控制器限制访问的闪存模块是在字段中存储的Flash配置中所描述表19-3。表19-3。闪存配置field1的全球通讯簿大小（字节）描述0x7F_FF00-0x7F_FF078后门