在关断模式外部电源驱动内径/VSS的可替代的电压调节器。17.2.4VDDF-调节Output2技术（NVM逻辑）针脚信号VDDF/VSS的是VREG_3V3第二产出提供了非易失性逻辑的电力供应。这些信号的设备连接到引脚允许外部去耦电容（220nF的，X7R陶瓷）。在关断模式外部电源驱动VDDF/VSS的可替代的电压调节器。17.2.5VDDPLL，VSSPLL-调节Output3（PLL）的针脚信号VDDPLL/VSSPLL是VREG_3V3第二输出提供的电源PLL和振荡器。这些信号的设备连接到引脚允许外部去耦电容（100nF的...220nF的，X7R陶瓷）。在关断模式，外部电源驱动VDDPLL/VSSPLL可以取代电压调节器。19.2.6VDDX-电源输入引脚信号VDDX/VSS的是通过与功能VREG_3V3贷款值监测。19.2.7VREGEN-可选稳压器能引脚此可选信号是用来关闭VREG_3V3。在这种情况下，内径/VSS和VDDPLL/VSSPLL必须提供外部。关断模式正在进入VREGEN低。如果VREGEN高，VREG_3V3或者是在全性能模式或减少电力模式。为了VREGEN连通，见设备规范。注意从程序手册或RPM转以VREG_3V3副关机反之亦然不支持，而微控制器供电。19.2.8VREG_API-任自治区定期中断输出引脚这个引脚通过APIEA提供选择的信号，如果系统是相应的设置。见17.3.2.3，“自主期刊中断控制寄存器（VREGAPICL）和17.4.8，“自主期刊中断（API）的了解详情。为了VREG_API连通，见设备规范。17.3内存映射和寄存器定义本节提供了所有登记在VREG_3V3访问的详细描述。如果在系统启用VREG_3V3将中止所有读写在它的内存片保留寄存器的访问。详见设备级规范。S12XS系列参考手册，修订版1.09飞思卡尔半导体491稳压器（S12VREGL3V3V1）17.3.1模块内存映射阿与VREG_3V3分总结相关的寄存器块见表17-3。选民登记册和钻头的详细说明载于下面的小节中名称地址位76543210位ṛ0x02F0VREGHTCL糯ṛ0x02F1VREGCTRL糯0x02F2VREGAPICṛ长宽高0x02F3VREGAPITṛṛ糯0x02F4VREGAPIRṛ冯兴0x02F5VREGAPIRṛ长宽高0x02F6保留ṛ06糯ṛ0x02F7VREGHTTR糯表17-3。注册摘要S12XS系列参考手册，修订版1.09492飞思卡尔半导体稳压器（S12VREGL3V3V1）17.3.2注册说明本节描述的所有VREG_3V3寄存器及其各个位。17.3.2.1高温控制寄存器（VREGHTCL）该VREGHTCL寄存器允许配置VREG温度感的特点。0x02F0ṛ糯重置00010000=未用或保留表17-4。VREGHTCL域说明字段说明7，6保留这些保留位被用于测试目的和写入只有在特殊模式。他们必须保持清醒的正确温度传感器操作。5VSEL电压进入选择位-如果设置，带隙参考电压VBG可以访问内部（即多路传输到一个内部模数转换器通道）。内部准入必须启用位VAE乳液。见连接设备级规格。0内部温度成比例的电压健康外展队伍可以访问内部如果VAE乳液设置。1带隙参考电压VBG可以访问内部如果VAE乳液设置。4VAE乳液电压接入允许位-如果设置的电压位VSEL选中可以访问内部（即多路传输到一个内部模数转换器通道）。见连接设备级规格。0电压由VSEL选择不能访问内部（即外部模拟输入连接到模拟数字转换器通道）。1电压由VSEL选择可以访问内部。3然后高温允许位-如果设置温度的感觉是启用。0温度感被禁用。1，温度感已启用。2HTDS高温检测状态位-这个只读状态位反映了温度状态。写入没有任何效果。0温度TDIE低于水平THTID或RPM或关机模式。1温度TDIE以上水平THTIA和程序手册。1HTIE高温中断允许位0中断请求被禁用。1中断时将要求HTIF设置。0HTIF高温中断标志-HTIF-高温中断标志HTIF设置为1时HTDS状态位的变化。这个标志只能清除编写1。）写0无效。如果启用（HTIE=1），HTIF产生中断请求。0没有改变HTDS位。1HTDS位发生了变化。注意：在进入低功率模式HTIF不是由VREG清除。S12XS系列参考手册，修订版1.09飞思卡尔半导体493稳压器（S12VREGL3V3V1）17.3.2.2控制寄存器（VREGCTRL）该VREGCTRL的寄存器允许对配置的VREG_3V3低电压检测功能。0x02F1ṛ糯重置00000000=未用或保留图17-2。控制寄存器（VREGCTRL）表17-5。VREGCTRL域说明S12XS系列参考手册，修订版1.09494飞思卡尔半导体稳压