22064字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1).doc
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A.1.3.4试验该引脚用于生产测试只。该测试引脚必须绑到VSS在所有应用程序。A.1.4电流注入电力供应必须保持在瞬间内经营VDD35或VDD监管和经营范围最大电流的条件。如果积极的注入电流(输入电压“VDD35)大于IDD35,注入电流可能流VDD35出来,并可能在外部电源的结果是否规管措施。确保外部VDD35负载电流的分流比最大注入电流更大。这个将是最大的风险当MCU没有消费力,例如,如果没有系统时钟存在,或者如果时钟率非常低这将降低整体能耗。A.1.5编列绝对最大额定值绝对最大额定值是压力等级只。阿功能操作下的最大值或境外不能保证。这些范围之外的压力可能会影响可靠性或造成永久性损坏的设备。该器件包含电路免遭损坏,由于高电压或静电电场保护,但它是表示,正常的预防措施,避免采取任何应用高电压低于最高额定电压,这种高阻抗电路。操作的可靠性得到加强,如果未使用的投入与适当的逻辑电平(例如,无论VSS35或VDD35)。S12XS系列参考手册,修订版1.09飞思卡尔半导体657电气特性表A-1。绝对最大Ratings1除了设备的绝对最大额定值1可能受到损害。2该器件包含一个内部电压调节器生成的逻辑和PLL电源的I输出/O电源。绝对最大额定值时适用的设备是从外部电源供电。3所有数字I/O引脚内部钳位在VSSX和VDDX,或VSSA和VDDA。4这些引脚内部钳位在VSSPLL和VDDPLL。A.1.6ESD保护和抗锁定所有的ESD测试是-AEC-Q100标准的汽车级压力测试资格集成电路与民防部队一致的。在公共服务电子化设备资格应力进行的人体模型(HBM)和充电设备模型。一个设备将被视为失败后,如果接触ESD脉冲的设备不再符合规定的设备规范。完整的直流参数和功能进行测试设备为规范适用于热温度室温后,除非指明,否则设备规范。S12XS系列参考手册,修订版1.09658飞思卡尔半导体电气特性表A-2。ESD和闩锁测试条件模型描述符号值单位人体系列电阻R11500欧姆存储100pF的电容C每个引脚数脉冲正面负--11每个引脚的脉冲带电设备号正面负--33闩锁最小输入电压限制--2.5V最大输入电压上限-7.5V表A-3。公共服务电子化以及栓锁保护特性数荤等级符号最小值最大值单位1架C人体模型(HBM)VHBM2000-V2C电荷器件模型(CDM)的角落针电荷器件模型(CDM)的边脚VCDM750500--VC阳性3架C闭锁电流在TA=125负伊拉特100-100--马C阳性4ç闭锁电流在TA=27负伊拉特+200-200--马A.1.7运行条件本节描述了设备的操作状况。除非另有说明,这些条件适用于所有下列数据。注意请参阅设备的额定温度(丙,五,男)就学校的环境温度局长和结温巧。对于功耗的计算参考第A.1.8,“功耗和散热特性”。表A-4。运行条件等级符号最小典型最大单位的I/O,调节器和模拟电源电压VDD353.1355.5V非易失性存储器逻辑电源VDDF2.72.82.9voltage1V电压差VDDX的VDDAVDDX参考表A-14S12XS系列参考手册,修订版1.09飞思卡尔半导体659电气特性表A-4。运行条件1该器件包含一个内部电压调节器生成的逻辑和PLL电源的I输出/O电源。2这是指振荡器的基频。典型的晶体谐振器公差与支持。3请参阅表A-最大总线频率调制频率限制启用244请参考第A.1.8,“功耗和散热特性”有关环境温度之间的电讯和设备结温勺关系的更多细节。注意使用内部电压调节器,操作是保证权力,直到低电压复位断言。A.1.8功耗和散热性能功耗和热特性密切相关。用户必须保证,最高工作结温不超过。℃(焦耳)可从:平均芯片结温在=+ç勺=结温,[ç电讯管理局局长=环境温度,[JA勺局长帕金森•帕金森=总芯片功率消耗,[我们]荤/我们]JA=封装的热阻,[S12XS系列参考手册,修订版1.09660飞思卡尔半导体电气特性总功耗可以计算:帕金森=品脱+先锋品脱=芯片内部功耗,[我们]先锋=ṛ逊字母i2IIOi先锋是所有输出电流的I/O端口与VDDX,相关的总和,即体积导通状态电阻=----------;为低电平输出我其他职等导通状态电阻=VDD35-VOH电-------------我----------------------;为高输出驱动俄亥俄州两个内部稳压器启用和禁用的案件必须考虑:1。内部稳压器禁用V=++内径品脱国际直拨电话2。内部稳压器启用VDDPLLIDDPLL非洲工业发展多哈发展议程VDDAVDDR+工发品脱=IDDRS12XS系列参考手册,修订版1.09飞思卡尔半导体661电气特性表A-5。热封装特性(9S12XS256)11热电阻值达到包模拟2结到环境的热阻,模拟将是等同于JE