1.3半导体二极管1.3.1半导体二极管的结构类型(3)平面型二极管1.3.2半导体二极管的伏安特性曲线图01.12二极管的伏安特性曲线(1)正向特性(2)反向特性在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。1.3.3半导体二极管的参数(3)反向电流IR1.3.4半导体二极管的温度特性图01.13温度对二极管伏安特性曲线的影响1.3.5半导体二极管的型号半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片1.3.6稳压二极管图01.14稳压二极管的伏安特性从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。(3)最大耗散功率PZM——(5)稳定电压温度系数——VZ稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。光电二极管2.发光二极管二极管电路分析举例电路如图，求：UAB例2:电路如图，求：UABui>8V二极管导通，可看作短路uo=8Vui<8V二极管截止，可看作开路uo=ui