研究背景介绍；高精度VME性能测试系统；PMT单光子谱性能研究；通过SPE修正PMT时间分辨；实验结果；研究背景介绍：BESⅢE-TOF升级方案介绍；束流实验用T0系统介绍；如何开发高精度T0系统？高精度VME性能测试系统；PMT单光子谱性能研究；通过SPE修正PMT时间分辨；实验结果；BESⅢE-TOF升级方案介绍PMT：H6533；Scintillator：BC420；QDC：2249A（250pC）；TDC：2229（250ps）；TimeResolution；76pslinearfocussedPMTsR4998,typicalgainG∼5.7×106atB=0Gauss,risetime0.7ns,TTS∼160ps,equippedwithactive/passivedivider。amu-metalshieldextending3cminfrontofthephotocathode(H6533assemblies)束流实验目标：利用BEPC现有的能够提供特定动量单粒子束流的试验束800MeV试验束E3束，建立时间分辨小于40ps的束流测试系统；如何开发高精度T0系统？参考时间----与入射位置是否有关系？T0刻度----是否需要T-A，T-P修正？RPC刻度----与l有关，需做T-A，T-P修正；----(斜入射时，L与角度有关，T-theta修正)研究背景介绍：高精度VME性能测试系统；硬件系统；软件开发；PMT单光子谱性能研究；通过SPE修正PMT时间分辨；实验结果；硬件：VME系统：接口控制：V1718_USB_Bridge；V2718_PCI_Bridge；Q测量单元：V965（25fC，dualrange）；V785N（ADC）；V792N（QDC）T测量单元：V775N(35ps);V1290N（25ps，multihit）高压控制：V200计数单元：V560NPMT性能测试系统示意图研究背景介绍：高精度VME性能测试系统；PMT单光子谱性能研究；如何获取PMT的SPE谱；PMT绝对增益曲线；SPE-Q谱的峰谷比、能量分辨率PMT测试SPE-Q谱最佳工作高压；通过SPE修正PMT时间分辨；实验结果；通常情况下，光子入射到光阴极产生的光电子，经过打拿极倍增后符合Poisson分布[1]，其中μ是被第一打拿极收集到的平均光电子数。调节pulser的驱动LED的强度，使得QDC在大约90%的时间里测得的是电子学的台阶，此时出现单光电子的几率约为9.5%，单光电子和多光电子出现的概率比为：由此，测量高于台阶的计数绝大部分是单光电子信号。当统计数目较大时，Poisson分布可近似成Gauss分布，可以用Gauss函数进行拟合[2]。1)减小LED光强到光电子峰不再左移；1.在单光电子谱中，漏电流等高斯分布的噪声是构成单光电子谱中平台的主要成分，而热电子、发射光源本身的噪声构成指数分布的噪声；高斯平台越窄或者指数分布的噪声越低，峰谷比就越大，PMT的信噪比就越好，因此峰谷比在一定程度上代表光电倍增管噪声水平。2.通过计算不同高压下的SPE-Q谱的分辨率，在其取最小值时，对应的工作高压为PMT测试单光电子谱时的最佳工作高压。SPE-Q谱的工作高压：HV增大，增益高；分辨率降低；GainVSSigma研究背景介绍：高精度VME性能测试系统；PMT单光子谱性能研究；通过SPE修正PMT时间分辨；原理介绍；实例介绍；实验结果；当多光子统计量足够的情况下，多光子对应的系统时间分辨将优于单光子的时间分辨。但由于测量装置将多光子过程压制的比较低，为数不多的多光子数据会带来较大的统计误差。为改进的T0的时间分辨，我们将在所获取的时间数据中尽可能剔除为数不多的多光子数据，降低测试数据的统计误差。VME数据获取采用CBLT读数模式，保证时间数据T和电荷量测试数据Q完成事例对齐。在3σ范围内对QDC数据用Gauss函数进行拟合，得到总的时间分辨σtotal。对此PMT获取的Q谱，按照文献[1,2]所述方法进行反卷积，得到其多光子对应的谱。研究背景介绍：高精度VME性能测试系统；PMT单光子谱性能研究；通过SPE修正PMT时间分辨；实验结果；宇宙线测试结果；束流测试结果；PMT：H6533；Scintillator：BC420；QDC：V965(25fC)；TDC：V1290(25ps)；TimeResolution:41.6ps束流实验结果TheEnd！H6533