电子技术基础(125)复习题半导体二极管一、、选择1、以下图中，（）二极管处于正向偏置（所有为硅管）。3V2．3V-0.7V0V-10V-11V2V2VABCD2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（）。A．强B．弱C．同样3.PN结正向偏置时（）。A．P区接电源正极，N区接电源负极B．N区接电源正极，P区接电源负极C．电源极性能够随意调动D．不接电源4.当外界温度高升时，半导体的导电能力（）。A．不变B．增添C．明显增添D．先减小后增添5.PN结的最大特色是拥有（）。A．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单导游电性6.变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。A．正向运用B．反向运用C.正反向均可7、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽8.丈量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。A．R×1B．R×10C．R×100或R×1kD．R×10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。A．正偏B．反偏C．零偏10.丈量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。A．变大B．先变大后变小C．变小D．不变11.2AP9表示（）。D．N型资料开关A．N型资料整流管B．N型资料稳压管C．N型资料一般管管12.二极管正反向电阻相差（）。A．越小越好B．越大越好C．无差异最好D．无要求13.加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两头电压为()。A.随所加电压增添而变大B.0.7V左右C.随所加电压增添而减小D．随所加电压增添变化不大电子技术基础(125)复习题14.用万用表R×100Ω挡来测试二极管，此中()说明管子是好的。A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无量大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。A．基本正常B．击穿C．烧坏D．电流为零16.当加在硅二极管两头的正向电压从0开始渐渐增添时，硅二极管()。A．立刻导通B．到0.3V才开始导通C．超出死区电压时才开始导通D．不导通17.用于整流的二极管型号是()。A．2AP9B．2CW14CC．2CZ52BD．2CK84A18.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。A．约等于150VB．略大于150VC．等于75VD.等于300V19.交通讯号灯采纳的是（）管。A．发光二极管B．光电二极管C．变容二极管20.判断二极管的极性用万用表的（）挡。A．直流电压B．直流电流C．沟通电流D.欧姆21、用万用表RX1K档测得某二极管的直流电阻约为500Ω，与（）。A、红表棒相连的是正极B、黑表棒相连的是正极C、不可以判断，还应反向再测一次22、当环境温度高升时，二极管反向电流将（）。A、减小B、不变C、增大23、电路以下图，设二极管的正向压降VD=0.6V，则流过二极管的电流ID为（）。（A）0.775mA（B）1.31mA（C）0.55mA（D）1mA24、电路以下图，设二极管拥有理想特征，已知vi=1.0Sinωt(V)，V=2V，则输出vO的波形如图（）所示。电子技术基础(125)复习题二.判断题1.()本征半导体比杂质半导体导电能力强。2.()PN结是一种特别的物质，一般状况下不可以导电。3.()半导体拥有混杂特征。4.()PN结是利用半导体的热敏特征而形成的。5.()PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。6.()半导体随温度的高升，电阻会增大。7.()光电二极管能够将光信号转变为为电信号。8.()二极管的正向电流越大二极管质量越高。9.()硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大。10.()发光二极管能够接收可见光芒。11.()光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。12.()有两个电极的元件都叫二极管。13.()二极管加正向电压时必定导通。14.()二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。15.()无论是哪一种种类的半导体二极管，其正向电压都为0.3Ｖ左右。16.()二极管是线性元件。17.()一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。18.()二极管拥有单导游电性。19.()当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于