导体(dǎotǐ)：Conductor:ρV=10-8~10-4Ω·m半导体(dǎotǐ)：Semiconductor:ρV=10-4~106Ω·m绝缘体：Insulator:ρV=106~1022Ω·m陶瓷材料的导电性及机理(jīlǐ)1.电子(diànzǐ)导电：霍耳效应(Halleffect)一般情况下很微弱，产生的原因有：①制备工艺（气氛）导致化学计量比偏移；②引入不等价杂质。2.离子导电－不呈现霍耳效应外来杂质离子热缺陷F为电子(diànzǐ)受力方向体积(tǐjī)电阻率陶瓷材料的极化(jíhuà)及介电系数电介质周围(zhōuwéi)无外电场时电介质处于外电场中时，偶极子在外电场作用下转向，正极板附近的电介质感应出了负电荷，负极板附近的介质表面(biǎomiàn)感应出正电荷，即在电介质两表面(biǎomiàn)上出现束缚电荷。/介电系数(xìshù)ε(Permitivity)陶瓷体中的极化形式(xíngshì)及其微观机制b.偶极子极化：组成极性电介质中的极性分子具有恒定的偶极矩。无外加(wàijiā)电场时，这些极性分子的取向在各个方向的几率是相等的，就介质整体来看，偶极矩等于零。在电场作用下，这些极性分子除贡献电子极化和离子极化外，其固有的偶极矩将沿外电场方向有序化。c.松弛(sōnꞬchí)极化空间电荷极化常常发生在不均匀介质中。在电场作用下，不均匀介质内部的正负间隙离子分别向负、正极移动，引起电介质内各点离子密度的变化，出现了电偶极距。这种极化叫作空间电荷极化。在电极(diànjí)附近积聚的离子电荷就是空间电荷。实际上晶界、相界、晶格(jīnɡɡé)畸变、杂质等缺陷区都可成为自由电荷运动的障碍，在这些障碍处，自由电荷积聚，也形成空间电荷极化。陶瓷介质一般为多晶多相材料，其极化机制可以不止一种。一般都含有电子位移极化和离子位移极化。介质中有缺陷存在，则通常存在松驰极化。电工(diàngōng)陶瓷按其极化形式可分类如下：①以电子位移极化为主的电介质：金红石瓷（TiO2）、钙钛矿瓷（CaTiO3）及某些含锆陶瓷。②以离子位移极化为主的电介质：刚玉（Al2O3）,斜顽辉石为基础的陶瓷及碱性氧化物含量不多的玻璃。③具有显著松驰极化的材料:绝缘子瓷、碱玻璃、高温含Ti陶瓷。陶瓷材料的介质(jièzhì)损耗介质(jièzhì)损耗因素（tgδ）功能(gōngnéng)陶瓷的损耗角一般小于1°介电强度感谢您的观看(guānkàn)！内容(nèiróng)总结