光刻工艺技术培训光刻培训流程光刻基本知识掩膜板/光罩1、掩膜板的分类：(1)光掩膜板（PhotoMask）包含了整个衬底片的芯片图形特征，进行1：1图形复制。该掩膜板用于接近式光刻和扫描对准投影机中;(2)投影掩膜板（Reticle）。只包含衬底片上的一部分图形（例如四个芯片），一般为缩小比例（一般为4：1）。需要步进重复来完成整个硅片的图形复制。投影掩膜板的优点：投影掩膜板的特征尺寸较大（4×），掩膜板制造更加容易；掩膜板上的缺陷会缩小转移到硅片上，对图形复制的危害减小；使曝光的均匀度提高。光刻胶光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。光刻基本工艺流程清洗表面处理滴胶——加速旋转——甩胶——溶剂挥发胶膜常见问题1胶膜常见问题2前烘（软烘）烘烤过度:减小光刻胶中感光成分的活性前烘不足：光刻胶中的溶剂不能完全被蒸发掉，这将阻碍光对胶的作用并且影响到其在显影液中的溶解度（如下图）肌肤效应：烘烤温度过高，胶表面形成一层“皮肤”，内部的溶剂不易挥发接触式曝光和接近式曝光套刻和对准后烘显影坚膜坚膜常见问题：1.烘烤不足（Underbake）：减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）；2.降低针孔填充能力（GapfillCapabilityfortheneedlehole）：降低与基底的黏附能力。3.烘烤过度（Overbake）：引起光刻胶的流动，使图形精度降低，分辨率变差。4.通常会增加将来去胶的难度。去胶AZ1500Q&AQ&A