综合练习第十一章传感器电路¾教学要求1．掌握传感器匹配基础知识。2．了解信号处理电路的基本原理。3．了解信号传输。4.掌握常用的抗干扰设计的基本方法。¾教学内容1.1传感器的匹配对于高阻抗的传感器，通常用场效应管或运算放大器来实现匹配。对于阻抗特别低的传感器，在交变输入时，往往采用变压器匹配。阻抗匹配的例子：（P243，图11.4自举型高输入阻抗放大器）。11.2信号处理电路（了解）11.3信号传输（了解）11.4抗干扰设计1.RC去耦电路2.线路板的合理布局综合练习一.填空题1．根据传感器的功能要求，它一般应由三部分组成，即.敏感元件、转换元件、转换电路。2．传感器按能量的传递方式分为有源的和无源的传感器。3.根据二阶系统相对阻尼系数ζ的大小，将其二阶响应分成三种情况.ζ>1时过阻尼；ζ=1时临界阻尼；ζ<1时欠阻尼。59综合练习4.应变计的灵敏系数k并不等于其敏感栅整长应变丝的灵敏度系数k0，一<般情况下，kk0。5.减小应变计横向效应的方法.采用直角线栅式应变计或箔式应变计。6.应变式测力与称重传感器根据结构形式不同可分为:柱式﹑桥式﹑轮辐式﹑梁式和环式等。7.半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象就称为压阻效应。8.光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。9.光电效应是光照射到某些物质上，使该物质的电特性发生变化的一种物理现象，可分为外光电效应和内光电效应两类。10.基于外光电效应的光电敏感器件有光电管和光电倍增管。基于光电导效应的有光敏电阻。基于势垒效应的有光电二极管和光电三极管。基于侧向光电效应的有反转光敏二极管。11.光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极（阳极）等组成。12.光敏电阻器是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻器，对光线十分敏感，它的电阻值能随着外界光照强弱（明暗）变化而变化。它在无光照射时，呈高阻状态；当有光照射时，其电阻值迅速减小。13.光电二极管与光电三极管外壳形状基本相同，其判定方法如下.遮住窗口，选用万用表R*1K挡，测两管脚引线间正、反向电阻，均为无穷大的为光电三极管。14.光电耦合器是发光元件和光电传感器同时封装在一个外壳内组合而成的转换元件。以光为媒介进行耦合来传递电信号，可实现电隔离，在电气上实现绝缘耦合，因而提高了系统的抗干扰能力。15.电荷藕合器件图像传感器CCD（ChargeCoupledDevice），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷。16.光纤的结构包括：纤芯.包层.涂敷层和护套。17.入射到光纤端面的光并不能全部被光纤所传输，只是在某个角度范围内的入射光才可以。这个角度就称为光纤的数值孔径。定义n1为纤芯折射率，n2为60综合练习=−22包层折射率，则光纤的数值孔径可表述为.NAn12n。18.光纤按折射率变化类型分为.阶跃折射率光纤和渐变折射率光纤；按传播模式的多少.单模光纤和多模光纤。从传感器机理上来说.光纤传感器可分为振幅型（也叫强度型）和相位型（也叫干涉仪型）两种。19.目前压电材料可分为三大类.一是压电晶体(单晶)，它包括压电石英晶体和其他压电单晶；二是压电陶瓷(多晶半导瓷)；三是新型压电材料，又可分为压电半导体和有机高分子压电材料两种。20.压电加速度传感器的结构一般有纵向效应型、横向效应型和剪切效应型三种。21.声表面波（SurfaceAcousticWave，SAW）是一种沿弹性基体表面传播的声波，其振幅随压电基体材料深度的增大按指数规律衰减。22.常用的热敏电阻为陶瓷热敏电阻,分为负温度系数(NTC)热敏电阻、正温度系数(PTC)热敏电阻和临界温度电阻(CTR)。23.在一定的空气压力下，逐渐降低空气的温度，当空气中所含水蒸气达到饱和状态，开始凝结形成水滴时的温度叫做该空气在空气压力下的露点温度。24.气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应，导致敏感元件阻值变化。当氧化型气体吸附到N型半导体上，半导体的载流子减少，电阻率上升。25.非电阻型气敏传感器，是利用MOS二极管的电容—电压特性变化；MOS场效应管的阈值电压的变化；肖特基金属半导体二极管的势垒变化进行气体检测。26.霍尔传感器中的霍尔元件都是由半导体材料制成的。在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，所以霍尔元件一般采用N型半导体材料。27.若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加