内容内容1、IC制造工艺及模拟IC工艺流程Bipolar/CMOS/DMOS/SOI工艺1、IC制造的基本工艺流程2、模拟IC设计需要具备的条件某IC制造公司提供的SPICEModel（NMOS）某IC制造公司提供的SPICEModel（NMOS）模拟IC设计需要具备的条件（续）所需DRC规则文件(DesignRuleCheck)所需LVS验证文件(LayoutVersusSch.)所需Extract（寄生）器件、参数提取文件3、模拟IC设计受非理想因素的影响（1）模拟IC设计受非理想因素的影响（2）高性能模拟IC设计需要的步骤内容4、带隙基准源的设计带隙基准源温度特性带隙基准源输出与电源电压关系带隙基准源电源抑制比5、运算放大器的设计(差模输入输出)带有共模反馈的运算放大器运放的直流增益、单位增益带宽与相位裕度6、电压比较器的设计比较器的性能参数比较器及脉宽调制（PWM）原理PWM电路7、压控振荡器(VCO)的设计8、过温保护电路的设计8、过温保护电路的设计(II)9、欠压保护电路的设计（4.7-5.7V）求各电阻及Vr的设计值产品设计时的实际考虑作业布置