半导体存储器的分类读写存储器（RAM）只读存储器（ROM）存储器存储器是信息存放的载体，是计算机系统的重要组成部分。存储器的容量越大，存放的信息就越多，计算机系统的功能也就越强。目前在CPU与主存储器之间还有一层称为高速缓冲存储器(Cache)。Cache容量较小，其工作速度几乎与CPU相当。主存储器（内存条）容量较大，目前一般为128MB或256MB，工作速度比Cache慢。外存储器容量大，目前一般为几十吉字节(GB)，但工作速度慢。半导体存储器从使用功能上划分，可分为两类：读写存储器RAM又称为随机存取存储器；只读存储器ROM。RAM主要用来存放各种现场的输入输出数据、中间计算结果。它的存储单元的内容按照需要既可以读出，也可以写入或改写。ROM的信息在使用时是不能改变的，也就是不可写入的，它只能读出，故一般用来存放固定的程序，如微型计算机的管理、监控程序，汇编程序等，以及存放各种常数、函数表等。图6-2半导体存储器的分类1.双极型RAM的特点存取速度高；集成度较低(与MOS相比)；功耗大；成本高。双极型RAM主要用在速度要求较高的微型计算机中或作为Cache。2.MOSRAM用MOS器件构成的RAM，又可分为静态RAM(用SRAM表示)和动态RAM(用DRAM表示)两种。①用由6管构成的触发器作为基本存储电路；②集成度高于双极型但低于动态RAM；③不需要刷新，故可省去刷新电路；④功耗比双极型的低，但比动态RAM高；⑤易于用电池作为后备电源以保持RAM中的信息。⑥存取速度较动态RAM快。①基本存储电路用单管线路组成(靠电容存储电荷)；②集成度高；③比静态RAM的功耗更低；④价格比静态便宜；⑤因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在有泄漏电流，故要求刷新(再生)。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。1.掩模ROM由半导体厂商按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。这种ROM成本较低，但不适用于研究工作。2.可编程序的只读存储器PROM(ProgrammableROM)为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次，目前已不常用。3.可擦去的可编程只读存储器EPROM(ErasablePROM)4.FLASH闪烁存储器基本存储电路是组成存储器的基础和核心，它用来存储一位二进制信息：“0”或“1”。在MOS存储器中，基本存储电路分为静态存储电路和动态存储电路两大类。静态存储电路是由两个增强型的NMOS反相器交叉耦合而成的触发器，如图6-3(a)所示。图6-3当这个电路被选中时，相应的Y译码输出也是高电平，故T7、T8管(它们是一列公用的)也是导通的，于是D0和D0(这是存储器内部的位线)就与输入输出电路I/O及I/O(这是指存储器外部的数据线)相通。2读写存储器（RAM）集成度较低(与MOS相比)；①基本存储电路用单管线路组成(靠电容存储电荷)；由这样的8个芯片则可组成1024×8位存储体第2组：0000010000000000~0000011111111111，即0400H~07FFH；第2组：XXXXX10000000000~XXXXX11111111111，即0400H~07FFH；而位线2与位线3没有管子与字线相连，则输出为“1”(实际输出到数据总线上去是“1”还是“0”，取决于在输出线上有无反相)。①基本存储电路用单管线路组成(靠电容存储电荷)；1024×1位来说，若不采用矩阵的办法，则译码输出线就需要有1024条；1024×1位来说，若不采用矩阵的办法，则译码输出线就需要有1024条；若地址信息为1111，则选中第16条字线。但在单译码结构中却需要1024根选择线。六管基本存储电路如图6-3(b)所示。目前在CPU与主存储器之间还有一层称为高速缓冲存储器(Cache)。其中的存储电路可采用六管静态存储电路。所以，它们的地址有很大的重叠区（每组占32KB地址空间）。当写入时，写入信号自I/O和I/O线输入，如要写“1”则I/O线为“1”，而I/O线为“0”。它们通过T7、T8管以及T5、T6管分别与A端和B端相连，使A=“1”，B=“0”，就强迫T2管导通，T1管截止，相当于把输入电荷存储于T1和T2管的栅极。当输入信号以及地址选择信号消失后，T5、T6、T7、T8都截止，由于存储单元有电源和两负载管，可以不断地向栅极补充电荷，所以靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电就能保持写入的信号“1”，而不用再生(刷新)。在读出时，只要某一电路被选中，相应的T5、T6导通，A点和B点与位线D0