忆阻器与忆阻混沌电路由电路基本理论可知，电路和元件特性是有四个基本变量来描述的，分别为四个电路变量电压（V）、电流（I）、磁通量（φ）和电荷量（Q）a.电压和电流关系→电阻器Rb.电压和电荷关系→电容器Cc.电流和磁通关系→电感器L上述四个电路变量两两之间可以建立六个数学关系式，其中五对关系式已经为大家所熟知——分别来自R、C、L、Q的定义和法拉第电磁感应定律（如图1所示），但φ、Q间的关系却一直没被揭示。1引言忆阻器具有其他三种基本元件任意组合都不能复制的特性，是一种有记忆功能的非线性电阻，可以记忆流经它的电荷数量，通过控制电流的变化可改变其阻值。2008年5月，惠普公司实验室研究人员Strukov等在Nature上首次报道了忆阻器的实现性，其研究成果震惊了国际电工电子技术世界，极大的唤起了人们开展忆阻器的全方位研究的兴趣。2008年11月，美国加州大学Pershi和Ventra二位学者在PhysicalReviewB上发表文章，描述了在半导体自旋电子器件中发现了自旋记忆效应，提出了自旋电子忆阻器器件。通过忆阻器的电流可以改变其电阻，而且这种变化当断电时还能继续保护，从而使得忆阻器成为天然的非易失性存储器。忆阻器的出现，将不仅使得集成电路元件变得更小，计算机可以即开机关，而且拥有可以模拟复杂的人脑神经功能的超级能力。因此，忆阻器的记忆特性将对计算机科学，生物工程学，神经网络，电子工程，通信工程等产生极其深远的影响，同时，忆阻电路的存在，使基础元件由电阻，电容和电感增加到四个，忆阻器为电路设计及其忆阻电路应用提供了全新的发展空间。2忆阻器模型2.2物理器件模型2.3数学器件模型2.3.1分段线性模型2.3.2三次型非线性模型2.3.2三次型非线性模型2.3.2三次型非线性模型2.3.3二次型非线性模型2.3.3二次型非线性模型2.3.3二次型非线性模型3忆阻器的等效电路模型3忆阻器的等效电路模型3.1模拟单元电路介绍3.1.1线性运算电路（1）反相比例电路(3)同相比例电路(4)反相积分电路3.1.2非线性运算电路3.1.2非线性运算电路3.1.3模拟时滞电路3.2有源磁控忆阻器等效电路3.2有源磁控忆阻器等效电路3.2有源磁控忆阻器等效电路3.2有源磁控忆阻器等效电路3.2有源磁控忆阻器等效电路3.3其他忆阻器等效电路4基于三次型忆阻器的混沌电路4基于三次型忆阻器的混沌电路4基于三次型忆阻器的混沌电路lyapunov指数结论：谢谢!