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物料型号汇总表名称型号生产厂家备注IGBT(模块)FP40R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FP50R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FP75R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FP75R12KT4英飞凌（infineon）IGBT(模块)FP75R12KT4-B15英飞凌（infineon）IGBT(模块)FS75R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FS1O0R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FS150R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FF200R12KT3英飞凌（infineon）“E3”：低频IGBT3“T3”：较高频IGBT3IGBT(模块)FF300R12KT3英飞凌（infineon）“E3”：低频IGBT3“T3”：较高频IGBT3IGBT(模块)FF400R12KT3英飞凌（infineon）“E3”：低频IGBT3“T3”：较高频IGBT3IGBT(模块)FF450R12KT3英飞凌（infineon）“E3”：低频IGBT3“T3”：较高频IGBT3IGBT(模块)FS300R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FS450R12KT3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FF300R12ME3英飞凌（infineon）IGBT(模块)FF450R12ME3英飞凌（infineon）FF400R12KE3FZ:一单元FP:三相桥+六单元+制动单元+温度传感器IGBT模块连接形式FB:单相桥+六单元最大集电极电流（Tc=80℃）FD/DF:斩波模块逆导型（ReverseConducting)F4:H桥（四单元)VCE耐压等级（X100)FS:六单元+温度传感器机械结构为模块“S4”：短拖尾，高频型GAR:斩波（D+E)IGBT芯片“S3”：低频IGBT3“E3”：较高频IGBT3FF:两单元半桥
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