说明：以下是整理出来的第一章的一些练习题，部分习题已有答案，答案仅供同学们参考，对答案有疑问的，欢迎同学们提出。对于没提供答案的习题，请同学们根据所学内容进行解答。另外，教材中的书后习题，同学们也要认真做一做，答案可以参考教学指导书。一．填空题1.和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。2.整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。3.在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。4.半导体中有自由电子和空穴两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。5．温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度基本不变。6.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的半导体中加入微量的杂质。7.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。8.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。9.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。10.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。11.稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；反向击穿）。12.三极管工作在放大状态时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。若工作在饱和状态时，发射结应正向偏置，集电结应正向偏置。若工作在截止状态时，发射结应反向偏置，集电结应反向偏置。13.三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98；若α＝0.99，则β＝99。14.BJT所代表的电气元件是双极结型三极管。15.三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。16.三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。17.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和金属－氧化物－半导体场效应管两类。18.MOSFET所代表的电气元件是金属－氧化物－半导体场效应管。19.场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。20.JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。21.半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件二．选择题1.由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（B）。A、UAB＝－12VB、UAB＝－6VC、UAB＝＋6VD、UAB＝＋12V2.由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（C）。A、I＝2mAB、I＝0mAC、I＝1.5mAD、I＝－1.5mA3．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（B）。A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V4．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（A）。A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺5．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（D）。A、自由电子B、空穴C、硼元素D、磷元素6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a）有很大关系。A．温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷7.当PN结外加正向电压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外加反向电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）。A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变8.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（D）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、倒置状态9.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（d）。A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏10.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（A）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管11.测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC＝12V，UB＝1.8V和UE＝0V，则该管是处于（D）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、已损坏12.场效应管本质上是一个（C）。A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件13．某场效应管的转移特性如