1.4场效应晶体管（FET）NNPJFET工作原理（以P沟道为例）：PUDS=0时PJFET工作原理（以P沟道为例）：N沟道JFET在vGS=0时的输出特性曲线：VGS1.4.2.1转移特性曲线转移特性描述的是：vDS一定时，vGS对iD的控制特性。1.4.2.2输出特性曲线2.放大区（恒流区）和JFET的大信号特征方程考虑沟道长度调制效应以后的JFET大信号特性方程：关于λ的解释：结型场效应管的缺点：1.4.3增强型N沟道MOSFET的结构、工作原理和特性曲线PPNNMOSFET的工作原理：VGS(th)是增强型MOSFET开始形成反型层所需的vGS值，称为开启电压。对E型NMOS管，VGS(th)为正值，对E型PMOS管，VGS(th)为负值。E型NMOS管的转移特性曲线：1.4.3.2vDS的控制作用E型NMOS管的输出特性曲线：1.4.4耗尽型NMOS管和增强型PMOS管工作原理1.4.5MOSFET的大信号特性方程vDS很小时（例如vDS<0.1V），可简化为：2.临界恒流区3.恒流区1.4.5.2E型PMOSFET2.恒流区1.4.5.3D型NMOSFETD型NMOS管饱和漏极电流IDSS为：1.4.6MOSFET亚阈区的传输特性亚阈区的特性方程：1.4.7MOSFET的体效应和背栅控制特性对背栅的控制能力通常用跨导比η来表示：1.4.8FET的小信号模型式中：gm0是VGS=0时的跨导。JFET的低频小信号模型：集成电路中的JFET小信号模型：1.4.8.2MOSFET的小信号等效模型MOSFET的小信号交流等效模型：跨导的计算输出电阻的计算