由于X射线辐射对器件和集成电路产生剂量增强效应.ppt
上传人:天马****23 上传时间:2024-09-10 格式:PPT 页数:31 大小:5.3MB 金币:10 举报 版权申诉
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1.X射线对元器件的辐射危害2.特定能谱的X射线辐射场的建立3.X射线屏蔽体的特点及对探测器的要求4.热释光探测器的使用及吸收剂量的换算5.实验结果6.结论研究表明,X射线对电子系统的影响不可忽视。X射线在电子元器件中会产生电离效应而导致器件不同程度的损伤。由于X射线辐射对器件和集成电路产生剂量增强效应,在辐照相同剂量的情况下,X射线造成的损伤比γ射线要严重。高空核爆辐射环境中,爆炸能的约70-80%以X射线的形式释放,能量范围在0.1-100keV,在高空衰减很少,对飞行器威胁很大。2.特定能谱分布的X射线辐射场的建立2.1能谱构造基本原理和方法单能能谱叠加连续能谱叠加2.2用连续能谱叠加进行目标能谱的构造通过设置限束孔来改变立体角,控制X射线束强度,以满足探测器对计数率的要求。所测能谱须进行空气衰减的修正。构造子谱采集(1-4)构造子谱采集(5-8)能谱构造结果3.复杂X射线屏蔽体的特点及对探测器的要求3.1屏蔽体的特点3.2屏蔽体结构对探测器的要求4.热释光探测器的使用及吸收剂量的换算氟化锂热释光探测器的特点:(1)主发光峰在220℃附近,不易受环境温度和热辐射的影响;(2)剂量探测下限低,灵敏度高;(3)剂量线性范围大;(4)重复性好;(5)稳定性好,在短期内认为无衰退;(6)抗腐蚀、耐磨损,几乎不溶于水,不易潮解。4.2热释光探测器的使用剂量片逐片分装在铝槽中,对每一片进行编码标示,防止混乱。4.3不同材料X射线吸收剂量的换算硅和LiF材料的质能吸收系数之比及特定X射线入射谱5.实验结果5.1吸收剂量中散射成分的比例分析5.2屏蔽体背向散射/荧光X射线的影响5.3加装线路板后屏蔽体内吸收剂量测量加装线路板屏蔽效能实测结果5.4大剂量实验屏蔽效能测量总辐照剂量测量结果大剂量实验屏蔽效能测量结果6.结论谢谢大家