Chapter10结晶Crystallization本章主要知识点过饱和溶液形成的方法晶体生长的扩散学说及其具体意义常用的工业起晶方法影响晶体质量的因素重结晶的概念结晶的概念几种典型的晶体结构结晶操作的特点结晶过程分析——几个概念凯尔文（Kelvin）公式结晶过程的实质晶体的形成结晶的步骤温度与溶解度的关系饱和曲线和过饱和曲线稳定区和亚稳定区不稳定区影响溶液过饱和度的因素结晶与溶解度之间的关系过饱和溶液的形成部分溶剂蒸发法（等温结晶法）适用于溶解度随温度降低变化不大的体系，或随温度升高溶解度降低的体系；加压、减压或常压蒸馏真空蒸发冷却法使溶剂在真空下迅速蒸发，并结合绝热冷却，是结合冷却和部分溶剂蒸发两种方法的一种结晶方法。设备简单、操作稳定化学反应结晶加入反应剂产生新物质，当该新物质的溶解度超过饱和溶解度时，即有晶体析出；其方法的实质是利用化学反应，对待结晶的物质进行修饰，一方面可以调节其溶解特性，同时也可以进行适当的保护；晶核的形成临界半径与成核功临界半径（rc）临界成核功（ΔGmax）晶核的成核速度成核速度的近似公式常用的工业起晶方法晶种起晶法：将溶液蒸发后冷却至亚稳定区的较低浓度，加入一定量和一定大小的晶种，使溶质在晶种表面生长。该方法容易控制、所得晶体形状大小均较理想，是一种常用的工业起晶方法。晶种控制晶体生长的扩散学说及速度根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差；而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值扩散方程将以上二式合并，可以得到总的质量传递速度方程：当Kr很大时，K近似等于Kd，结晶过程由扩散速度控制；反之Kd很大，K近似等于Kr，结晶过程由表面反应速度控制；为了简化方程的应用，可以假定晶体在各个方向的生长速率相同，这样就可以任意选择某一方向矢量的变化，来衡量晶体体积的变化，公式就可以简化为：影响晶体生长速度的因素晶体纯度计算晶体大小分布连续结晶过程的晶群密度分布晶体大小提高晶体质量的方法晶体结块重结晶重结晶的操作过程蒸发型冷凝器本章作业饱和曲线和过饱和曲线晶核的成核速度晶体生长的扩散学说及速度根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差；而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值为了简化方程的应用，可以假定晶体在各个方向的生长速率相同，这样就可以任意选择某一方向矢量的变化，来衡量晶体体积的变化，公式就可以简化为：晶体纯度计算晶体结块蒸发型冷凝器