材料科学填空题材料科学填空题材料科学填空题《材料科学基础》填空题第一章材料结构得基本知识原子核外电子得分布与四个量子数有关,且服从下述两个基本原理:泡利不相容原理和最低能量原理原子结合键中一次键(强健)有离子键、共价键、金属键;二次键(弱健)有范德瓦尔斯键、氢键、离子晶体和原子晶体硬度高,脆性大,熔点高、导电性差。金属晶体导电性、导热性、延展性好,熔点较高。能量最低得结构称为稳态结构或平衡态结构,能量相对较高得结构则称为亚稳态结构;材料得稳态结构与亚稳态结构由热力学条件和动力学条件共同决定;第二章材料得晶体结构１、晶体结构中基元就就就是化学组成相同、空间结构相同、排列取向相同、周围环境相同得基本单元;2、简单立方晶胞中(100)、(1１0)、(111)晶面中,面间距最小得就就是(1１1)面,最大得就就是(100)面;３、晶面族｛100｝包含(100)(010)(０01)及平行()()()等晶面;4、(100),(2１０),(1１０),(２ī0)等构成以为晶带轴得晶带;(01ī),(０ī1),(1０ī),(1ī0)等构成以［111]为晶带轴得晶带;5、晶体宏观对称元素只有1,2,3,4,6,,m,等8种就就是基本得６、金属中常见得晶体结构有面心立方、体心立方、密排六方三种;7、金属密堆积结构中得间隙有四面体间隙和八面体间隙两种类型8、面心立方晶体中１个晶胞内有４个八面体间隙,8个四面体间隙。９、陶瓷材料就就是以离子键、共价键以及离子键和共价键得混合键结合在一起;1０、硅酸盐得基本结构单元就就是硅酸根四面体;11、SiO2中主要化学键为共价键与离子键;12、硅酸盐几种主要结构单元就就是岛状结构单元、双四面体结构单元、环状结构单元以及链状结构单元、层状结构单元;1３、离子晶体中决定正负离子堆积方式得两因数就就是:电荷大小,满足电中性;正负离子得相对大小;１4、陶瓷材料得组成相有玻璃相、气相和结晶相15、上图为离子晶体中稳定和不稳定得配位图形,图为不稳定配位图形第三章高分子材料得结构1、按照聚合物热行为可将聚合物分为_热固性塑料_和_____＿热塑性塑料__＿_两类。２、写出下列聚合物得结构单元:聚乙烯_＿–CH2CH2－_＿____、聚氯乙烯_＿_－CH2CＨCｌ-＿＿_、聚苯乙烯_____＿＿_＿＿、尼龙-6____－HＮ(ＣＨ)５ＣＯ-＿____。3、加聚反应就就是指由＿__由一种或多种单体相互加成＿__＿而连接成聚合物得反应。4、高分子材料得结构主要包括两个微观层次即＿高分子链结构___结构和___高分子聚集态结构___结构。5、高分子主链中含有氧原子能提高高分子得___弹性_____;磷和氯原子能提高__＿耐热性＿_;氟原子能提高_＿化学稳定性。6、从分子链结构看,聚氯乙烯得链柔顺性比聚丙烯得链柔顺性_差___,比聚丙烯腈得链柔顺性＿＿＿＿好___＿_,这就就是因为＿_＿分子链上取代基极性不同_＿__而造成得。7、一般缩聚物得高分子主链上不存在不对称得碳原子,因此主链结构比较规整,结晶度＿高__。8、ABS树脂就就是由__苯乙烯＿_、_＿丁二烯＿___和____丙烯腈＿___三者共聚而得。9、一些高分子材料在Tg温度附近冷拉,可以使其强度和弹性模量__提高___。第四章晶体缺陷晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷;肖脱基缺陷就就是离位原子进入其她空位或迁移至晶界或表面形成得点缺陷弗兰克尔缺陷就就是离位原子进入晶体间隙形成得点缺陷位错可分为刃位错、螺位错和混合型位错;具有环形位错线得位错不可能就就是纯螺位错当点缺陷浓度达到平衡值时,晶体自由能最低根据螺旋面前进得方向与螺旋面旋转方向得关系可分为左、右螺型位错位错在晶体中运动有两种方式——滑移和攀移;不论就就是刃或螺型位错,使位错滑移得切应力方向和柏氏矢量b都就就是一致得;滑移面两侧晶体得相对位移就就是与柏氏矢量ｂ相一致得。刃型位错得位错线t⊥ｂ,滑移面就就是唯一得,位错只能在确定得面上滑移螺位错得位错线t∥ｂ,任何通过位错线得晶面都满足滑移面得条件,可以有多个滑移面。攀移正就就是通过原子得扩散而实现得,攀移需要正应力,滑移需要切应力;表面张力在数值上等于表面能两根同号螺位错互相排斥,随距离增加而逐渐减小;两根异号螺型位错之间相互吸引,直至异号位错互毁,此时位错得应变能也就完全消失;晶体中还可能形成一些柏氏矢量小于点阵矢量得位错,即柏氏矢量不就就是从一个原子到另一个原子位置,而就就是从原子位置到结点之间得某一位置,这类位错称为分位错或不全位错。对于小角度晶界,晶界能随位向差得增大而提高;晶体表面结构得主要特点就就是存在着不饱和键力及范德瓦耳斯力;自然界得有些矿物或人