常见磁传感器及原理和应用磁通：垂直于某一面积所通过的磁力线的条数，用ф表示，单位韦伯（Wb）。磁感应强度：表示磁场内某点的磁场强弱和方向的物理量，单位是特斯拉（T）或高斯（Gs）用符号B表示。磁感应强度也叫磁通密度。磁场强度：将不同的物质放入磁场中，对磁场产生的影响是不同的。不同的物质在外磁场的磁化作用下将产生不同的附加磁场，此种附加磁场又必然反过来影响外磁场。外磁场通常是由电流产生，为了反应外磁场和电流之间的关系，引入一个辅助矢量——磁场强度，用H表示。它也是用来表征磁场中各点的磁力大小和方向的物理量。它的大小仅与产生该磁场的电流大小和载流导体形状有关，单位安培/米(A/m)。H=(B/μo)-M式中B是磁感应强度；M是磁化强度；μo是真空磁导率。在线性各向同性磁介质中，M与H成正比，即M＝xmH，xm是磁介质的磁化率。于是上式表为B＝μo（1＋xm）H＝μoμrH式中μr＝1＋xm称为磁介质的相对磁导率。.磁学量的单位高斯单位制，又称混合CGS，在此单位制中，凡是电学量如q、I、E、P、D等都用CGSE制单位，而磁学量如E、M、H都用CGSM制单位。因而此在单位制中,介电常数ε和磁导率μ都是无量纲的，而且其真空值μ0=ε0=1。此外B和E的量纲相同。理论物理中经常采用。国际单位制（SI），基本量为长度、质量、时间和电流，基本单位分别为米、千克、秒和安培。E和D量纲不同，ε0=107/（4πc2）库2/（千克·米）；H和B量纲也不同，μ0=4π×107千克·米/库2。单位制特点：高斯单位制的特点是电场及磁场的单位相同，方程中唯一有量纲的常数为光速。国际单位制是使关于球面的电磁方程会含有4π，关于线圈的则含有2π，处理直导线的则完全不含π，这样的作法对电机工程应用来说是最便利的。但高斯单位制会使得关于球面的电磁方程中不含4π或π。使用情况：CGS单位制逐渐的被国际单位制取代，在技术领域使用CGS单位制的情形正逐渐减少。许多科学期刊或国际标准单位已不使用CGS单位制，不过在天文学的期刊中仍会使用。美国的材料科学、电动力学及天文学中偶尔会使用CGS单位制。另外，由于国际单位制的磁通量密度单位特斯拉太大，在日常使用上不便，一般会使用CGS单位制的对应单位高斯，因此在磁学及其相关领域中仍会使用CGS单位制。磁传感器定义磁敏传感器是一种能检测磁场并从中提取信息的器件或装置发展比较快的两个方面应用：磁传感器被用于70多个汽车应用之中，包括防抱死刹车系统、电子转向与油门控制、电池管理和汽车传动。数字罗盘也是磁传感器的重要市场，正在成为平板电脑和手机全球定位系统(GPS)中的标准器件。例如，iPhone和iPad在行人与车辆导航中使用电子罗盘，也用于基于位置的服务和增强现实等应用。这两个方面市场每年有十几亿美元，其中五大供应商日本AsahiKaseiMicrosystems、美国AllegroMicrosystems、德国英飞凌、瑞士Micronas和比利时MelexisN.V.占据80%的市场。磁传感器的分类物理原理：磁电感应式传感器，霍尔效应、磁阻效应、巨磁电阻效应、巨磁阻抗效应、超导量子干涉器、磁致伸缩效应、磁弹性效应等。.1831年,英国MichaelFaraday和美国的JosephHenry发现的电磁学中最基本的效应之一------电磁感应现象恒磁通式变磁通：磁路中的工作气隙与磁路磁阻变化，引起磁通变化为提高灵敏度，应选用具有磁能积较大的永久磁铁磁电传感器应用2、扭矩测量3、流量测量4、位移测量5、接近传感器（探测磁性金属）6、磁场测量：磁通门微型集成磁通门美国的KVH公司超导量子干涉磁强计在屏蔽室内进行心磁性图测量磁电效应将磁场加在半导体、磁性体等固体上，固体的电性质就会发生变化，这种现象称为电（流）磁效应。基于这种物性变化制成的固体磁传感器，可以精确地检测从静磁场到交变磁场的强度，并转换成电信号输出。固体磁传感器（或称物性磁传感器）具有体积小、功耗低、便于集成化等许多优点。霍尔效应磁电阻效应磁阻抗效应霍尔效应霍尔效应最早是霍尔（EdvinHall）于1879年发现的，但直到20世纪50年代，随着微电子技术的发展，霍尔效应才被重视和使用，并开发出多种霍尔效应器件。洛仑兹力FM：对于实际有限长霍尔元件，需增加一个形状效应系数常用的是菱形微型化霍尔传感器的特性参数额定控制电流与最大控制电流输入电阻和输出电阻乘积灵敏度不等位电势和不等位电阻.为了增加灵敏度，选用迁移率高的材料目前有各种半导体材料制成的霍尔元件特性：InAs霍尔元件。迁移率较高（仅次于InSb）。其温度特性也较好。具有内阻小、信噪比高、零漂移小、控制电流大和输出功率大等优点。适用于