S08_14_Freescale_HCS08单片机FLASH编程应用.pdf
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Freescale单片机原理及应用FreescaleHCS08单片机FLASH编程应用Copyright©YangMing.2011.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.ChinaFreescaleHCS08单片机FLASH编程应用••ContentsandObjectives:.理解HCS08的FLASH模块原理FLASH的特性FLASH的块保护加密向量重定位.学会FLASH模块设计FLASH的在系统编程–在系统擦除–在系统写入.进一步认识“对MCU外部管脚/内部模块的控制正是通过Regs的控制来实现”Slide1Copyright©YangMing.2011.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China12.1概述S08系列单片机内部的的擦除和写入工作不需要外部特殊高电压,支持两种编程功能:——在电路编程(ICP,In-circuitprogramming)——在应用编程(IAP,In-applicationprogramming)对FLASH的擦除操作都是以页(512B)为单位的,而写入操作则以字节为单位,且支持标准和突发两种模式。擦除操作是将存储单元的0变成1,而写入操作恰好相反,是将存储单元的1变成0。Slide2Copyright©YangMing.2011.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China12.2FLASH功能及寄存器•在高页寄存器空间,共有6个和FLASH模块功能相关的8位寄存器:.FLASH保护寄存器(FPROT,FLASHProtectionRegister).FLASH选项寄存器(FOPT,FLASHOptionsRegister).FLASH时钟分频寄存器(FCDIV,FLASHClockDividerRegister).FLASH配置寄存器(FCNFG,FLASHConfigurationRegister).FLASH命令寄存器(FCMD,FLASHCommandRegister).FLASH状态寄存器(FSTAT,FLASHStatusRegister)Slide3Copyright©YangMing.2011.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China12.2FLASH功能及寄存器•块保护:.FLASH块保护功能使得FLASH可以按页(512字节)被保护,被保护的页不会被误擦除或者误编程。.通过寄存器FPROT控制.复位期间,地址为$FFBD的非易失性保护寄存器NVPROT中的内容被自动复制到FLASH保护寄存器FPROT中Slide4Copyright©YangMing.2011.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China12.2FLASH功能及寄存器•块保护:.当允许块保护时,块保护区域从任意一个512字节边界到FLASH的最末地址处$FFFF。.FPS位用来设定未保护区域最末地址的高位地址,此最末地址值由FPS7:FPS1后接9位1构成把NVPROT设置为%11101110,保护FLASH的$F000~$FFFF区域的汇编代码如下:ORG$FFBD;NVPROT寄存器地址DC.B$EE;FLASH的$F000~$FFFF空间设为保护区域Slide5Copyright©YangMing.2011.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnology