会计学1、驱动电路的基本(jīběn)任务2、驱动(qūdònɡ)电路的要求3、驱动电路(diànlù)的分类4、典型全控型器件(qìjiàn)的驱动电路■电压驱动型器件的驱动电路◆电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。◆为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V，使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15~20V。◆关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。◆在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大(zēnɡdà)而减小。◆电力MOSFET☞包括电气隔离和晶体管放大电路两部分；当无输入信号时高速放大器A输出负电平，V3导通输出负驱动电压，当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压。5、MOSFET和IGBT的集成(jíchénɡ)驱动芯片6、集成(jíchénɡ)芯片TLP250的原理TLP250的内部(nèibù)结构图及管脚定义如下：TLP250的原理(yuánlǐ)：TLP250组成的驱动电路(diànlù)原理：7、集成芯片(xīnpiàn)IR2110的原理IR2110的内部(nèibù)结构图：IR2110的管脚定义(dìngyì)：IR2110的驱动原理：IR2110基于自举技术设计，只需单电源就可同时(tóngshí)驱动一个桥臂的两个开关管。图中C1、VD1分别为自举电容和二极管，C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已充到足够的电压（VC1≈VCC）。当HIN为高电平时VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的门极和发射极之间，C1通过VM1，Rg1和S1门极栅极电容Cgc1放电，Cgc1被充电。此时VC1可等效为一个电压源。当HIN为低电平时，VM2开通，VM1断开，S1栅电荷经Rg1、VM2迅速(xùnsù)释放，S1关断。经短暂的死区时间（td）之后，LIN为高电平，S2开通，VCC经VD1，S2给C1充电，迅速(xùnsù)为C1补充能量。如此循环反复。8、集成(jíchénɡ)芯片IR2130的原理IR2130的内部(nèibù)结构图：IR2130输入输出真值表：IR2110的管脚定义：VB1～VB3：是悬浮电源连接端，通过自举电容为3个上桥臂功率管的驱动器提供内部悬浮电源，VS1～VS3是其对应的悬浮电源地端。HIN1～HIN3、LIN1～LIN3：逆变器上桥臂和下桥臂功率管的驱动信号(xìnhào)输入端，低电平有效。ITRIP：过流信号(xìnhào)检测输入端，可通过输入电流信号(xìnhào)来完成过流或直通保护。CA-、CAO、Vso：内部放大器的反相端、输出端和同相端，可用来完成电流信号(xìnhào)检测。H01～H03、L01～L03：逆变器上下桥臂功率开关器件驱动器信号(xìnhào)输出端。FAULT：过流、直通短路、过压、欠压保护输出端，该端提供一个故障保护的指示信号(xìnhào)。它在芯片内部是漏极开路输出端，低电平有效。Vcc、Vss：芯片供电电源连接端，Vcc接正电源，而Vss接电源地。IR2130的驱动原理：IR2130基于自举技术设计，只需单电源就可同时驱动一个(yīɡè)桥臂的两个开关管。9、逆变器的辅助(fǔzhù)电源下课了，再见！谢谢(xièxie)观看！