一、晶体生长方法的选择二、配料成份的选择当这些成分的液体冷却时，在熔点温度凝固成同液体成分一样的固体，这就可以如同生长单质那样进行晶体生长。（2）若偏离同成分点生长，温度波动将引起晶体成份的不均匀性——影响物理性能例如：铌酸锂与铌酸锶钡晶体的光学性能就是随着同成份点准确测定而提高的。铌酸锶钡初始估计的同成份点为50mol%BaNb2O6，用这种原料配比所生长出的铌酸锶钡单晶体，由于生长过程温度的波动，晶体内部出现无规则的生长条纹。如用接近其实际同成分点的组合，含BaNb2O6为35～40mol％的配料，基本上可以生长出没有生长条纹的单晶体。（3）共晶点不适宜用来生长单相的晶体2.在固一液两相区内生长(参考相图选择配料成分,四种)图6.6.7包晶系统和包晶示意图（1）包晶反应体系配料成分的选择——应避开包晶点配料成份选择在包晶反应温度与另一等温线之间的液相线所相应的成分。（2）一般互溶体系配料成份的选择——由Ke决定晶体生长是动态过程，应该采用有效分凝系数Ke：（3）在固态存在多型性相变，用熔体法生长低温相晶体（4）虽有同成份点，但体系具有很高的平衡蒸气压三、热处理工艺的确定2.高温生长的晶体在室温下是亚稳相根据相图进行适当的热处理，一般是高温相保温，让成分均匀化后，骤冷。例如：铌酸锶钠晶体，当T<1180℃时发生分解，∴热处理工艺：在1200℃以上进行均匀化处理后骤冷。四、相图形态与组分过冷相图在晶体材料的研究中有很大的用途谢谢！