半导体的基本知识半导体的共价键结构本征半导体、空穴及其导电作用电子空穴对杂质半导体N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴；P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。PN结的形成及特性PN结的形成PN结的单向导电性外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。总之：PN结正向电阻小，反向电阻大——单向导电性。半导体二极管二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。半导体二极管的伏安特性曲线(1)正向特性反向区也分两个区域：硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。半导体二极管的参数二极管基本电路分析3.折线模型（实际模型）二极管电路分析2.限幅电路3.开关电路例9：判别二极管是导通还是截止。+18V-例4：例5：例6：理想二极管电路中vi=VmsinωtV，求输出波形v0。例7：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。例8：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。已知二极管D的正向导通管压降VD=0.6V，C为隔直电容，vi(t)为小信号交流信号源。试求二极管的静态工作电流IDQ，以及二极管的直流导通电阻R直。求在室温300K时，D的小信号交流等效电阻r交。例3：特殊二极管(2)动态电阻rZ例12：