PEBSG诱导多晶硅薄膜凸起缺陷的研究的中期报告此次研究旨在探究PEBSG（Plasma-enhancedchemicalvapordepositionB-dopedsiliconglass）诱导多晶硅薄膜凸起缺陷的机理。通过多种表征手段，包括SEM、XRD、AFM等，观察和分析PEBSG沉积过程中多晶硅薄膜的形貌、结构和性质，发现PEBSG沉积过程中会产生B2H6和SiH4反应，形成B-dopedsiliconglass反应物，这是导致凸起缺陷的主要原因。此外，研究还发现，在PEBSG沉积过程中，反应物在多晶硅薄膜表面会发生化学反应，形成一层较厚的反应界面。这层反应界面在沉积后会缩回，导致表面发生凸起缺陷。经过SEM和AFM观察，发现凸起缺陷主要分为三种类型：晶界凸起、孔洞凸起和长凸起。这些凸起缺陷会对多晶硅薄膜的电学性能等方面产生影响。从以上研究结果可以看出，PEBSG沉积过程中反应物的类型和反应界面的形成与缩回是导致多晶硅薄膜凸起缺陷的关键。未来研究将继续深入探究这些影响因素，并寻找有效的解决方案，使多晶硅薄膜在PEBSG沉积过程中得到更好的质量和性能。