热氧化(ThermalOxidation)热氧化(ThermalOxidation)一.什么是热氧化？2.二氧化硅(Si02)的结构.结晶形和非结晶形（无定形）二氧化硅都是Si－O正四面体结构组成的。这些四面体通过不同的桥键氧原子连接，形成不同状态和结构的二氧化硅。热氧化(ThermalOxidation)二.为什么要热氧化？■介电强度高：>10MV/cm ■B、P、As等常见杂质在SiO2中的扩散系数远小于其在Si中的扩散系数。DSi>DSiO2■SiO2做掩蔽膜要有足够的厚度：对特定的杂质、扩散时间、扩散温度等，有一最小掩蔽厚度。2.3二氧化硅的化学稳定性热氧化(ThermalOxidation)热氧化工艺干氧氧化系统水汽氧化系统常压下干氧、水汽、湿氧氧化法的特点及适用范围在实际生产中，对于制备较厚的二氧化硅层来说往往采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式，既保证了二氧化硅层表面和Si-SiO2界面的质量,又解决了生长效率的问题。1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2-气体界面，其流密度为F1。根据Henry定律，在平衡条件下，固体中某种物质的浓度正比于其周围气体中的分压，则SiO2表面处的氧化剂浓度NS′：NS′=HPSH为Henry定律常数。平衡条件下，SiO2中氧化剂的平衡浓度N*与气体中氧化剂分压PG关系：N*=HPG得二、SiO2的生长厚度计算热氧化(ThermalOxidation)氧化膜质量检测1.氧化膜厚度测量方法..2.氧化膜的电学测量方法：击穿电压的统计分布反映氧化层质量。■电荷击穿特性：■电容-电压(C-V)测试：热氧化(ThermalOxidation)ImprovedSi/SiOxinterfacepassivationbyultra-thintunnelingoxidelayerspreparedbyrapidthermaloxidation(RTO)ExperimentalsetupandprocedureTab.1.Fig.1.Fig.2.Fig.3.Fig.4.Fig.5.Fig.6.1Fig.6.2Tab.2.Fig.7.ConclusionSurfacePassivationofCrystallineSiliconSloarCellsbyHigh-PressureThermalOxidationatLowTemperatureExperimentalandDiscussion...Thankyou.