基于微电子应用的几种介电氧化物薄膜的制备和电学性质研究的中期报告本研究旨在制备几种介电氧化物薄膜，并研究它们的电学性质。制备方法采用物理气相沉积法（PVD）和溅射法（sputtering）。本报告阐述了制备过程中用到的设备和条件，以及制备出的薄膜的表征结果。设备和条件：制备氧化铝（Al2O3）薄膜采用了高频磁控溅射设备，材料为氧化铝颗粒；制备氧化铥（Tb2O3）薄膜采用了直流磁控溅射设备，材料为氧化铥靶；制备氧化镁（MgO）薄膜采用了电子束物理气相沉积装置，材料为氧化镁靶。制备结果和表征：氧化铝薄膜制备后表面平整，无明显缺陷，均匀性良好。在不同频率下的介电常数测量结果显示，其介电常数随频率的变化规律符合电弧模型。氧化铥薄膜表面平整度较高，但存在微小的孔洞和颗粒。介电常数测量表明，其介电常数在低频时高于高频，符合Maxwell-Wagner模型。氧化镁薄膜表面粗糙度较高，存在颗粒和裂纹。介电常数随频率变化的规律符合Debye模型。总的来说，制备的三种介电氧化物薄膜具有不同的表面形态和电学性质，这些结果对于优化微电子器件的设计具有重要意义。接下来，我们将继续研究不同工艺条件和厚度对这些薄膜性质的影响。