LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜的发光机理研究的中期报告目前关于LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜发光机理的研究不够深入，因此本研究旨在探究LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜的发光机理。首先，我们对LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜进行了结构和化学成分表征。通过扫描电子显微镜（SEM）观察到，薄膜表面较为光滑、均匀，无明显的晶界、裂缝等缺陷。透射电子显微镜（TEM）分析结果表明，薄膜具有类似非晶态的结构。Fourier变换红外光谱（FTIR）结果显示，薄膜中存在Si-N键和N-H键，且随着气体配比变化，薄膜中N-H键和Si-N键的峰值有所变化。接下来，我们对LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜进行了光致发光（PL）实验，并观察到了薄膜的发光现象。结果表明，薄膜在紫外光激发下呈现出宽谱的发光特征，发射光谱范围在300-800nm之间，且发射强度与气体配比和制备温度有关。最后，我们进行了初步的分析和探讨。在LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜中，Si-N键和N-H键的存在可能是导致发光的主要原因，在紫外光照射下，这些键可能会断裂，导致能量转移和再组合，从而发生发光现象。同时，薄膜的结构和化学成分也可能对其发光特性产生影响。综上，我们将继续深入研究LPCVD制备的富硅氮化硅薄膜的发光机理，并进一步探究其在电子器件、光电器件等领域的应用潜力。