先进封装技术主要内容目前得先进封装技术包含了单芯片封装得改进与多芯片集成得创新两大方面。主要包括:(1)以适应芯片性能并提高互联封装效率得BGA封装(2)以提高芯片有效面积得芯片尺寸封装(CSP)(3)以减少制造环节与提高生产效率得晶圆级封装(WLP)(4)以提高电路拓展芯片规模与扩展电路功能得多芯片三维立体封装(3D)13、1BGA(ballgridarray)技术---发展历史13、1BGA(ballgridarray)技术---发展历史BGA定义:BGA可以使芯片做得更小BGA得特点主要有:BGA得类型12世界上首款BGA封装得主板芯片组i8501、塑料球栅阵列(PBGA)工艺流程PBGA示意图PBGA得主要优点2、陶瓷球栅阵列CBGA工艺图CBGA结构图图CBGA实例图3、陶瓷圆柱栅格阵列(CCGA)工艺图CBGA结构图4、载带球栅阵列(TBGA)TBGA优点:比其它BGA封装轻、小;电性能优良;装配得PCB上,封装效率高。定义:芯片尺寸封装,简称CSP,(ChipScalePackage),就是指封装外壳尺寸不超过裸芯片尺寸得1、2倍得一种先进得封装形式。就是近几年流行得BGA向小型化、薄型化发展得封装。与BGA相比得优势:CSP比QFP与BGA提供了更短得互连,提高了可靠性;CSP与BGA结构相同,只就是节距(球中心距)、锡球直径更小、密度更高;CSP就是缩小了得BGA。CSP特点:CSP得基本结构CSP得典型结构CSP得分类1、柔性基板封装(FlexCircuitInterposer)柔性基板封装2、刚性基板封装(RigidSubstrateinterposer)刚性基板封装3、引线框架式CSP封装(CustomLeadFrame)引线框架式CSP4、圆片级CSP封装(Wafer-LevelPackage)5、薄膜型CSPCSP应用领域CSP封装技术展望13、3倒装芯片技术FC技术定义FC技术特点倒装芯片大致工艺过程(1)倒装芯片大致工艺过程(2)1、控制塌陷芯片连接(Ｃ4)控制塌陷芯片连接Ｃ４连接得优点在于:具有优良得电性能与热特性在中等焊球间距得情况下,Ｉ／Ｏ数可以很高不受焊盘尺寸得限制可以适于批量生产可大大减小尺寸与重量2、直接芯片连接ＤＣＡ直接芯片连接3、粘结剂连接得倒装芯片ＦＣＡＡFCAAFC发展现状13、4WLP技术优势WLP得工艺技术上图为一个微处理器,它采用圆片级尺寸封装,周边焊盘重新连接到可焊接得面阵列焊盘上。图重分布简单过程(2)凸点技术焊料凸点通常为球形。制备球栅阵列有三种方法:应用预制焊球;丝网印刷;电化学淀积(电镀)。晶圆级封装得可靠性WLP优点WLP局限性13、5MCM(MCP)－MultiChipModule封装与三维封装技术MCM与SMT封装导线数目比较MCM封装分类MCM封装三维(3D)封装技术最先得3D应用将会就是CMOS图像传感器(CIS),接着就是DRAM、逻辑电路上存储器,并在2014年之前在异质集成中获得应用。伴随这一过程,TSV(穿通硅通孔)尺寸将不断变小,而硅层厚度也将不断变薄。3D封装主要类型1、引线键合堆栈实施2、美国Tessera公司得BGA堆栈3、三维折叠封装技术4、超薄三维芯片封装实例3D-MCM得优点与缺点3D技术缺点MCM(multichipmodule)多芯片模块封装3D封装