第13章主要内容目前的先进封装技术包含了单芯片封装的改进和多芯片集成的创新两大方面。主要包括：（1）以适应芯片性能并提高互联封装效率的BGA封装（2）以提高芯片有效面积的芯片尺寸封装(CSP)（3）以减少制造环节和提高生产效率的晶圆级封装（WLP）（4）以提高电路拓展芯片规模和扩展电路功能的多芯片三维立体封装（3D）13.1BGA(ballgridarray)技术---发展历史13.1BGA(ballgridarray)技术---发展历史BGA定义：BGA可以使芯片做的更小BGA的特点主要有：BGA的类型世界上首款BGA封装的主板芯片组i8501.塑料球栅阵列（PBGA）工艺流程PBGA示意图PBGA的主要优点2.陶瓷球栅阵列CBGA工艺图CBGA结构图图CBGA实例图3.陶瓷圆柱栅格阵列(CCGA)工艺图CBGA结构图4.载带球栅阵列（TBGA）TBGA优点：比其它BGA封装轻、小；电性能优良；装配的PCB上，封装效率高。定义：芯片尺寸封装，简称CSP,(ChipScalePackage),是指封装外壳尺寸不超过裸芯片尺寸的1.2倍的一种先进的封装形式。是近几年流行的BGA向小型化、薄型化发展的封装。与BGA相比的优势：CSP比QFP和BGA提供了更短的互连，提高了可靠性；CSP与BGA结构相同，只是节距（球中心距）、锡球直径更小、密度更高；CSP是缩小了的BGA。CSP特点：CSP的基本结构CSP的典型结构CSP的分类1、柔性基板封装（FlexCircuitInterposer）柔性基板封装2、刚性基板封装（RigidSubstrateinterposer）刚性基板封装3、引线框架式CSP封装（CustomLeadFrame）引线框架式CSP4、圆片级CSP封装（Wafer-LevelPackage）5、薄膜型CSPCSP应用领域CSP封装技术展望13.3倒装芯片技术FC技术定义FC技术特点倒装芯片大致工艺过程（1）倒装芯片大致工艺过程（2）1、控制塌陷芯片连接（Ｃ4）控制塌陷芯片连接Ｃ４连接的优点在于：具有优良的电性能和热特性在中等焊球间距的情况下，Ｉ／Ｏ数可以很高不受焊盘尺寸的限制可以适于批量生产可大大减小尺寸和重量2、直接芯片连接ＤＣＡ直接芯片连接3、粘结剂连接的倒装芯片ＦＣＡＡFCAAFC发展现状13.4WLP技术优势WLP的工艺技术上图为一个微处理器，它采用圆片级尺寸封装，周边焊盘重新连接到可焊接的面阵列焊盘上。图重分布简单过程(2)凸点技术焊料凸点通常为球形。制备球栅阵列有三种方法：应用预制焊球；丝网印刷；电化学淀积（电镀）。带钝化层的芯片焊盘晶圆级封装的可靠性WLP优点WLP局限性13.5MCM（MCP）－MultiChipModule封装与三维封装技术MCM与SMT封装导线数目比较MCM封装分类MCM封装三维（3D）封装技术74最先的3D应用将会是CMOS图像传感器（CIS），接着是DRAM、逻辑电路上存储器，并在2014年之前在异质集成中获得应用。伴随这一过程，TSV（穿通硅通孔）尺寸将不断变小，而硅层厚度也将不断变薄。3D封装主要类型1、引线键合堆栈实施2、美国Tessera公司的BGA堆栈3、三维折叠封装技术4、超薄三维芯片封装实例3D-MCM的优点和缺点3D技术缺点MCM（multichipmodule)多芯片模块封装3D封装CSPQFN封装(QuadFlatNo—lead，方形扁平无引脚封装