材料科学基础复习题一、选择题1.原子结合键包括物理键和化学键,下述结合键中属于化学键的是.(A)金属键(B)离子键(C)分子键(D)共价键2.原子结合键包括物理键和化学键,下述结合键中属于物理键的是.(A)氢键(B)离子键(C)分子键(D)共价键3.工业用硅酸盐属于.(A)金属材料(B)陶瓷材料(C)复合材料(D)高分子材料4.布拉菲点阵共有中.(A)8(B)10(C)12(D)145.BCC、FCC和HCP等三种典型晶体结构中,单位晶胞的原子数分别为.(A)2,4,6(B)4,2,6(C)3,4,5(D)6,2,46.晶面间距表示相邻两个平行晶面之间的垂直距离,其大小反映了晶面上原子排列的紧密程度,一般规律是.(A)在简单立方点阵中,低指数的晶面间距较大(B)在简单立方点阵中,高指数的晶面间距较大(C)晶面间距越大,该晶面上原子排列越紧密(D)晶面间距越大,该晶面上原子排列越稀疏7.BCC、FCC和HCP等三种典型晶体结构中,原子配位数依次为.(A)8,12,8(B)8,12,10(C)12,8,6(D)8,12,128.密堆积结构的致密度为.(A)0.68(B)0.74(C)0.82(D)1.09.MgO陶瓷晶体具有NaCl型结构,单位晶胞的离子数为.(A)4(B)6(C)8(D)1010.SiC陶瓷晶体具有金刚石型结构,该结构一般特征是.(A)原子结合键为共价键(B)原子配位数为4(C)单位晶胞包含8个原子(D)属于面心立方点阵,为密堆积结构11.下述晶体缺陷中属于点缺陷的是.(A)空位(B)位错(C)相界面(D)间隙原子12.下述晶体缺陷中属于线缺陷的是.(A)空位(B)位错(C)晶界(D)间隙原子13.下述晶体缺陷中属于面缺陷的是.(A)表面(B)位错(C)相界面(D)空位14.下述界面中界面能最小的是.(A)完全共格界面(B)共格界面(C)非共格界面(D)半共格界面15.下述界面中界面能最大的是.(A)完全共格界面(B)共格界面(C)非共格界面(D)半共格界面16.理想密排六方金属的c/a为.(A)1.6(B)(C)(D)117.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为.(A)肖脱基空位(B)弗兰克尔空位(C)线缺陷(D)面缺陷18.面心立方晶体的挛晶面是.(A){112}(B){110}(C){111}(D){123}19.体心立方晶体的挛晶面是.(A){112}(B){110}(C){111}(D){123}20.铸铁与碳钢的区别在于有无.(A)莱氏体(B)珠光体(C)铁素体(D)渗碳体21.在二元系合金相图中,计算两相相对量的杠杆法则只能用于.(A)单相区中(B)两相区中(C)三相平衡水平线上(D)无限制22.Hume-Rothery提出有利于大量固熔的原子尺寸条件为两组元的原子半径差对熔剂原子半径的比不超过.(A)10%(B)14%(C)15%(D)20%23.碳与钒结合形成金属化合物,下述说法正确的是.(A)该化合物属于简单间隙化合物(B)该化合物属于复杂间隙化合物(C)该化合物具有体心立方结构(D)该化合物具有面心立方结构24.以下关于渗碳体的描述中,正确的是.(A)渗碳体是钢中很重要的一种复杂间隙相(B)渗碳体晶体结构非常复杂,属于正交晶系(C)渗碳体为铁与碳固熔形成的间隙固熔体(D)渗碳体为铁与碳固熔形成的置换固熔体25.下述关于Ni-Cu系二元合金的描述中,正确的是.(A)室温下组织为单相组织(B)室温下组织为两相组织(C)凝固时发生匀晶转变(D)凝固时发生共晶转变26.凝固后是否形成晶体,主要由液态物质的决定.(A)温度梯度(B)粘度(C)冷却速度(D)压力27.金属结晶形核时,临界晶核半径rK与过冷度ΔT及表面自由能σ之间的关系为.(A)ΔT越大,rK越小(B)ΔT越大,rK越大(C)σ越大,rK越小(D)σ越大,rK越大28.纯金属均匀形核,形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的.(A)(B)(C)(D)29.原子扩散的驱动力是.(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度(D)表面张力30.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化.(A)距离(B)时间(C)温度(D)压力31.在置换固熔体中,原子扩散的方式一般为.(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制(D)填隙机制32.在间隙固熔体中,原子扩散的方式一般为.(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制(D)填隙机制33.在科肯道尔效应中,惰性标记发生移动的主要原因是扩散偶中.(A)两组元的原子尺寸不同(B)仅存在一组元