第9章半导体二极管和三极管第9章半导体二极管和三极管在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流。带正电的空穴吸引相邻原子中的价电子来填补，而在该原子的共价键中产生另一个空穴。空穴被填补和相继产生的现象，可以看成空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流。9.1.2N型半导体和P型半导体2.P型半导体9.1.3PN结及其单向导电性2.PN结的单向导电性此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。反向工作峰值电压URWM2电流分配和放大原理5V时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使UBE0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC<0)，此时,IC0，UCEUCC。工作状态从反向特性曲线上可以看出，反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小。即VC<VB<VE5V时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使UBE0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC<0)，此时,IC0，UCEUCC。在这里，DA起钳位作用，将输出端电位钳制在+2.对NPN型管而言，应使UBE>0，UBC<0，此时，UCE>UBE。IB=0时,IC=ICEO(很小)。集—射极反向截止电流ICEO9.2半导体二极管9.2.2伏安特性在二极管上加反向电压时，反向电流很小。但当反向电压增大至某一数值时，反向电流将突然增大。这种现象称为击穿，二极管失去单向导电性。产生击穿时的电压称为反向击穿电压U(BR)。[例1]在图中，输入电位VA=+3V，VB=0V，电阻R接负电源–12V。求输出端电位VY。9.3稳压管稳压管的主要参数有下面几个：9.4半导体三极管集电区UBE>0空穴被填补和相继产生的现象，可以看成空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流。晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲组分为三个工作区输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流IC与集—射极电压UCE之间的关系曲线IC=f(UCE)。在硅或锗的晶体中掺入五价元素磷，当某一个硅原子被磷原子取代时，磷原子的五个价电子中只有四个用于组成共价键，多余的一个很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。第9章半导体二极管和三极管UBE/V(3)当IB=0(将基极开路)时，IC=ICEO，表中ICEO<0.在获得一定能量(热、光等)后，少量价电子即可挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中就留下一个空位，称为空穴。反向工作峰值电压URWM5V时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使UBE0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC<0)，此时,IC0，UCEUCC。但当反向电压增大至某一数值时，反向电流将突然增大。工作状态式中，称为动态电流(交流)放大系数IB/mA(3)当IB=0(将基极开路)时，IC=ICEO，表中ICEO<0.001mA=1A。9.4.3特性曲线2.输出特性曲线饱和区当晶体管饱和时，UCE0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。管型001mA=1A。IC与IB的比值称为动态电流(交流)放大系数在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下,可近似认为，但二者含义不同。反向工作峰值电压URWM晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲组分为三个工作区反向工作峰值电压URWMUBE在这里，DA起钳位作用，将输出端电位钳制在+2.最大允许耗散功率PZM对于PNP型三极管应满足:在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。UCEUCC集—射极反向截止电流ICEO它是指二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。如果二极管的正向压降是0.晶体管的输入特性也有一段死区，只有在发射结外加电压大于死区电压时，才会产生IB。5.集—射反相击穿电压U(BR)CEO