ZnO薄膜的常压MOCVD生长及掺杂研究的中期报告本项目旨在研究常压下采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长ZnO薄膜并进行掺杂，包括N掺杂和Al掺杂。以下是研究进展的中期报告。1.实验方法通过常规MOCVD装置，在Sapphire基底上生长ZnO薄膜，采用乙酮酸锌和二甲基锌作为前体材料，使用氧气和二氧化氮作为气体载体，生长温度为650℃，压力为760Torr。在生长ZnO薄膜的过程中，将掺氮或掺铝的前体材料引入气流中，实现对薄膜的掺杂。2.结果分析通过X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对生长的ZnO薄膜进行了表征。观察到薄膜表面均匀，并且呈现出典型的ZnO的结构。掺杂前后的薄膜XRD图谱没有变化，表明掺杂并未影响到薄膜的结构。在完成样品的生长和表征后，我们对样品进行了光电学测试。掺氮的ZnO薄膜光吸收峰红移，这表明氮掺杂引入了能隙缩小，增强了薄膜的光吸收能力。而Al掺杂的ZnO薄膜则呈现出光吸收的蓝移趋势，这表明铝掺杂引起了能隙变窄的效应。3.下一步工作下一步的工作将集中在优化掺杂条件，以获得更好的掺杂效果，并进行更深入的光电学研究，以进一步了解掺杂对薄膜光学性质的影响。同时，我们也将继续探索MOCVD生长技术在ZnO薄膜生长中的应用，以获得更高质量的样品。