2．点缺陷的克留格—乌因克(Kr6ger—Vink)符号表示法其中缺陷的名称用以下各种符号表示空位缺陷——用V表示；杂质缺陷——用该杂质的元素符号表示；电子缺陷——用e表示；空穴缺陷——用h表示。字母i表示缺陷处在晶体点阵结构的间隙位置上有效电荷NaCl化合物晶体举例对于电子缺陷，若电子并不局域在特定的原子位置上，即所谓的准自由电子，可以用e´来表示，对于不局域在特定的原子位置上的准自由空穴用h·表示3．缺陷化学反应表示法(i)位置关系位置增殖(iii)质量平衡(a)肖特基缺陷(b)弗兰克尔缺陷4点缺陷与电子—空穴对(1)锗晶体中掺人杂质原子施主能级施主能级和施主电离能n型(电子型)半导体(ii)硼原子掺入锗晶体空穴电离能和受主能级P型半导体(iii)锂原子掺入锗晶体这两个电子能级位于导带底下接近导带底的位置，故很容易激发到导带中，显然，是一个施主缺陷。这种半导体是电子型半导体。两个电子被过量的硫原子夺去，在镉离子空位处留下两个空穴，这两个空穴被束缚在镉离子的空位上，缺陷符号，相当于（+2h.)。可从价带中接受一个或两个电子，形成和两种缺陷，显然，是一个受主缺陷。这种半导体是空穴型半导体。(3)离子晶体中掺人杂质原子局域能级(i)二级电离施主D的电子能级二级电离施主D的电子能级电离过程:二级电离受主A的电子能级：电离过程