Ⅲ族氮化物MOCVD生长的数值模拟的中期报告本次研究旨在对III族氮化物MOCVD生长过程进行数值模拟，并分析其生长机制及影响因素。目前工作已完成模拟软件的选用和模型建立等初期工作，进入中期阶段。在模拟软件的选择方面，我们选择了基于有限元方法的ANSYSFluent软件进行模拟。该软件具有强大的计算能力和较高的模拟精度，能够较好地模拟流体动力学、热传递等复杂物理过程，可满足我们的模拟需求。在模型的建立方面，我们考虑了气相反应、表面反应、生长沉积等多种因素的影响，建立了III族氮化物MOCVD生长的数值模拟模型。通过对各参数的设定与调整，我们成功地模拟出了在不同反应条件下III族氮化物的生长过程，并得到了相应的生长速率、表面形貌等重要参数。当前，我们正进一步完善模型，考虑更多的过程与因素，如材料的扩散与输运过程、场源效应及截流模型等，以提高模拟精度和逼真度，并进一步解析III族氮化物生长机制及其影响因素。同时，我们还将考虑实验验证并与模拟结果进行对比，以验证模型的可靠性和精度。总之，我们正在进行III族氮化物MOCVD生长的数值模拟研究，目前已完成初步工作并进入中期阶段。下一步，我们将持续完善模型，并进行实验验证，期望能够在III族氮化物生长研究中做出更有价值的贡献。