一引言引用文献:LowimpedanceantennaarrangementofinternallinearICPsourceforlargeareaFPDprocessing(S.JJung,K.N,G.Y.Yeom)图中显示的是ICP源中应用的传输型天线,两种天线总长为7米.蛇型天线类似串联一端接射频一端接地,第二种相当于天线的并联每一端接射频,另两端接地。实验发现采用这两种并联式、串联式天线进行放电，虽然介质窗问题得到解决，但是等离子密度并不高。为了提高等离子体密度，P.Colpo等人又对天线外型进行了改进，把直线型天线镶嵌到有着高磁导系数的铁氧体磁槽里面来增强天线与等离子体间的电磁耦合，实验表明改装后的离子流密度增大50%上述方法引入的磁场都是通过增加电子与中性粒子的碰撞频率或减少电子流向器壁的损失来提高等离子体密度，然而平行排列的天线产生的等离子体并其均匀性并不理想。我们采用了交叉型天线，并与13.56MHz的射频功率相连，电子从天线射频电流产生的交变电磁场中获得射频功率，以激发产生感应耦合等离子体放电。二实验三结果与讨论功率超过100W射频电流明显增加，我们认为这主要是H模式下放电引起的。S.xu等人也观察到随着射频功率增加出现了E-H模式的转变，射频电流也不断增加，气体发光由弱突变到强.由于Ar激发谱线强度正比于超过阈值能量的电子态密度和Ar原子基态的数目，气压的增加意味着Ar原子基态数目的增加，也意味着电子与基态原子的碰撞频率增加，这导致了Ar激发谱线强度的增强。如左图所示Ar谱线强度与射频输入功率的关系呈V型变化，这可能起因于等离子体放电过程中的E-H模式转变电子温度随气压的变化气压保持不变时电子温度随功率的升高而变化不大，其均匀性也不受功率的影响。Min-HyongLee等人[15]在螺旋型天线感应耦合等离子体放电中观察到电子温度随功率的升高而降低，并用粒子的得失平衡方程给出了解释，但在本实验中并没有明显观察到电子温度随功率呈现下降的趋势。电子和离子密度沿径向变化趋势电子密度在中间位置较高，沿着器壁方向逐渐降低。在真空室腔体的中心区域±60mm位置离子密度有较好的均匀性超过了90％，平均离子密度为电子、离子密度都出现一定程度的起伏，这可能是由于天线相隔很近（50mm），相邻的天线中电流产生的磁场相互干扰造成的。电子密度之所以呈现凸型分布，是因为腔体的中心区域存在着可以局域大量低能电子的势垒区，而少量高能电子可以克服该势垒扩散到器壁附近。四结论