一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。VGS对漏极电流的控制关系可用ID=f(VGS)VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。图02.14VGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线2．漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用(2)N沟道耗尽型MOSFET(a)结构示意图(b)转移特性曲线图02.17N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线P沟道增强型MOSFET的结构和工作原理