场效应管是仅由一种载流子多子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。D为漏极，相当于c;G为栅极，相当于b；S为源极，相当于e。VGS对漏极电流的控制关系可用ID=f(VGS)VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线。当VDS为0或较小时，相当于VGD>Von，沟道分布如图，此时VDS基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。漏极输出特性曲线(2)N沟道耗尽型MOSFET1.4.2结型场效应管(2)结型场效应管的工作原理①栅源电压vGS对漏极电流iDS的控制作用②漏源电压vDS对iDS的影响(a)漏极输出特性曲线(b)转移特性曲线N沟道结型场效应管的特性曲线1.4.4场效应管的参数和型号④输入电阻RGS场效应管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应管,RGS约是109～1015Ω。各类场效应管的特性曲线例：用数字电压表测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。