本节要务三极管工作原理1.内因：结构尺寸及各区有别掺杂外因：发射结正偏、集电结反偏2.三极管三特性艾碧顺着发射结,携来电子多如云;小小艾碧大艾西,艾西顺着艾碧循。艾西电压落电阻,剩余才给集射极;集射压降太少了,管子饱和限艾西。3.三极管主参数—电流放大倍数β值1.3.1背靠背的PN结—BJT原理百度知道http://zhidao.baidu.com/question/487421032912658372.html?oldq=1A491617157b提问：模拟电路的数个问题(为什么集电结反偏不影响晶体管工作？)1.3.2三极管三特性或2.三极管传输特性—基极电流放大为集电极电流图1.3.7某型BJT输出特性曲线族图1.3.8某型BJT工作区与红灯区4.三极管的饱和2012年注册电气工程师执业资格考试专业基础第28题(a)符号(b)输入特性曲线(c)输出特性曲线族图1.3.11NPN晶体管符号、输入特性曲线及输出特性曲线族三极管集电极和发射极电流与基极的关系各为ic=βibie=ib+βib=(β+1)ibic稍小于发射极电流ie。通常可认为β+1≈β、ie≈ic。基极电流ib只能顺着发射结正向流动，小小ib放大成为大大的集电极电流ic，ic方向受控于ib，ic方向自然与ib一致，ic优先在电阻Rc上产生电压降，剩余才是集射极压降uce，uce太少了又反过来限制ic的客观规律，可用口诀来形容。艾碧顺着发射结，携来电子多如云；小小艾碧大艾西，艾西顺着艾碧循。艾西电压落电阻，剩余才给集射极；集射压降太少了，管子饱和限艾西。BJT图形符号的发射结箭头有三个功能。(1)箭头代表管子发射结(2)箭头方向指示管子极性箭头从基极指向发射极即从里指向外，代表NPN管，否则为PNP管。(3)箭头表明基极电流方向及发射极电流方向BJT符号的箭头功能很多，画图时一定要按照应有方向将其画在正确位置上。1.3.3BJT数理模型1)H四参数数理模型3)H两参数数理模型(β、rbe模型)4)高频数理模型1.中低频电流放大倍数β2.集电极最大允许电流ICM3.集-射击穿电压U(br)ceo(分类指标)4.集电极最大允许耗散功率PCM(分类指标)5.截止频率fβ、特征频率fT(fT为分类指标)6.输入电阻rbe应用非常广泛，计算公式非常重要7.输出电阻rceIc越小，rce越大。Ic为mA级时rce≈100ｋΩ8.极间漏电流9.发射结反向耐压10.有关参数的温度系数(1)电流放大倍数β的温度系数θ数值θ=0.5%~1%/ºC(2)发射结压降Ube的温度系数λ数值λ=-2mV/ºC(3)反向漏电流Icbo、Iceo的温度系数温度每上升10ºC，晶体管的Icbo大约增加1倍。11.BJT技术参数的分类—个性参数和共性参数(1)个性参数：第1~6项(2)共性参数：第7~9项点评这是模拟电子学的基本常识。1.4.2三极管测试鉴别1.BJT种类(1)低压晶体管、中压晶体管与高压晶体管(高反压晶体管)击穿电压Ubr(ceo)<100V、100V≤Ubr(ceo)<800V，Ubr(ceo)≥800V的管子各叫低压晶体管、中压晶体管和高压晶体管。(2)低频晶体管、中频晶体管与高频晶体管特征频率fT<3MHz的晶体管叫做低频晶体管，3MHz≤fT<30MHz的晶体管叫做中频晶体管，fT≥30MHz的晶体管叫做高频晶体管。(3)小功率晶体管、中功率晶体管与大功率晶体管极限功率PCM<500mW、500mW≤PCM<5W、PCM≥5W的晶体管各称为小功率晶体管、中功率晶体管、大功率晶体管。按照材料，BJT分为硅晶体管、锗晶体管及砷化镓晶体管等。按照极性，BJT分为NPN晶体管与PNP晶体管。国产三极管型号由四部分组成:第一部分：电极数，以数字3表示。第二部分：材料和管子极性，以大写字母A,B,C,D表示A代表PNP锗管，B代表NPN锗管C代表PNP硅管，D代表NPN硅管第三部分：频率及功率功能，大写字母X,G,D,A,TX代表低频小功率管，G代表高频小功率管D代表低频大功率管，A代表高频大功率管T代表晶体闸流管(可控硅，SCR)。第四部分：参数规格，以数字字母表示。例如，3DG12表示硅材料NPN高频中功率三极管。日产晶体管型号开头的数字代表pn结数二极管以数字1开头，三极管以数字2开头2SC1815是日本产塑封小功率三极管；9012、9013是韩国产三极管，β≈100~300倍9012为PNP管，9013为NPN管。常见BJT及其参数如下3DG12：NPN，β=40~80倍，300mA，50V，700mWfT=150MHz；2SC1815：NPN，100