第三章固体的能带结构前言解定态薛定格方程(略），可以得出两点重要结论：二.能带(energyband)能带的宽度记作E，数量级为E～eV。离子间距三.能带中电子的排布电子排布时，应从最低的能级排起。§2导体和绝缘体（conductor．insulator）导体在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。从能级图上来看，是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带（Eg约3～6eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。绝缘体与半导体的击穿§３半导体的导电机构例.半导体CdS这相当于产生了一个带正电的粒子(称为“空穴”),把电子抵消了。空带解二.杂质半导体n型半导体２.ｐ型半导体空带3.n型化合物半导体三.杂质补偿作用§4Ｐ-Ｎ结内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。P-N结处存在电势差Uo。考虑到P-Ｎ结的存在，半导体中电子的能量应考虑进这内建场带来的电子附加势能。空带二.Ｐ-Ｎ结的单向导电性外加正向电压越大，正向电流也越大，而且是呈非线性的伏安特性(图为锗管)。２.反向偏压但是，由于少数载流子的存在，会形成很弱的反向电流，利用P-N结可以作成具有整流、开关等作用的晶体二极管（diode）。§５半导体的其他特性和应用1947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出了世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。p集成电路40半导体激光器典型尺寸：当正向电压大到一定程度时，在某些特定的能级之间造成粒子数反转的状态，形成电子与空穴复合发光。半导体激光器的特点：