第三章半导体二极管和三极管在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流。带正电的空穴吸引相邻原子中的价电子来填补，而在该原子的共价键中产生另一个空穴。空穴被填补和相继产生的现象，可以看成空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流。3.1.2N型半导体和P型半导体2.P型半导体3.1.3PN结及其单向导电性2.PN结的单向导电性3.2半导体二极管3.2.2伏安特性在二极管上加反向电压时，反向电流很小。但当反向电压增大至某一数值时，反向电流将突然增大。这种现象称为击穿，二极管失去单向导电性。产生击穿时的电压称为反向击穿电压U(BR)。[例1]在图中，输入电位VA=+3V，VB=0V，电阻R接负电源–12V。求输出端电位VY。3.3稳压管稳压管的主要参数有下面几个：3.4半导体三极管集电区3.4.2电流分配和放大原理(3)当IB=0(将基极开路)时，IC=ICEO，表中ICEO<0.001mA=1A。3.4.3特性曲线2.输出特性曲线饱和区当晶体管饱和时，UCE0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。管型当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为IB，它引起集电极电流的变化量为IC。IC与IB的比值称为动态电流(交流)放大系数5.集—射反相击穿电压U(BR)CEO