半导体器件基本知识半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：1.2本征半导体通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。硅和锗的晶体结构硅和锗的共价键结构共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电机理+4本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理1.3杂质半导体N型半导体+4N型半导体P型半导体+4总结杂质半导体的示意表示法§2PN结及半导体二极管P型半导体扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动－1、空间电荷区中没有载流子。2.2PN结的单向导电性PN结正向偏置PN结反向偏置2.3半导体二极管PN结(2)、伏安特性(3)、主要参数（3）反向电流IR（4）微变电阻rD（5）二极管的极间电容为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。例：二极管的应用：§3特殊二极管稳压二极管的参数（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmian。3.2光电二极管3.3发光二极管§4半导体三极管BB4.2电流放大原理BIB=IBE-ICBOIBE4B4.3特性曲线（1）输入特性（2）输出特性IC(mA)IC(mA)（3）主要参数工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。2.集-基极反向截止电流ICBO3.集-射极反向截止电流ICEOB4.集电极最大电流ICM5.集-射极反向击穿电压6.集电极最大允许功耗PCMIC