例：扩音系统分析功放电路应注意的问题(2)电流、电压信号比较大，必须注意防止波形失真。(4)功率管要考虑散热和保护。射极输出器的输出电阻低，带负载能力强，但做功放不适合。为什么？解释如下：电源提供的直流平均功率计算：注:gm即为转移特性曲种电路也称为OCL互补功率放大电路。可解出Q点的VGS、ID、VDS计算Q点：VGS、ID、VDS当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS0V，漏极电流ID=0A。（1）最大不失真输出功率PomaxPE：电源提供的直流功率。工作原理（以P沟道为例）乙类放大的输入输出波形关系:(4)功率管要考虑散热和保护。uo=0VVP是MOS耗尽型和结型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。ID=f（VGS）│VDS=常数实验线路(共源极接法)若忽略晶体管的饱和压降和截止区，输出信号uo的峰值最大只能为：放大电路的输出没有失真的工作方式称为甲类放大。如何解决效率低的问题？无输出电容的互补对称功放电路(OCL电路)由一对NPN、PNP特性相同的互补三极管组成，采用正、负双电源供电。种电路也称为OCL互补功率放大电路。ic13.分析计算单个管子在半个周期内的管耗电源提供的直流平均功率计算：效率为：为保证晶体功率管的安全和输出功率的要求，电源及输出功率管参数的选择原则如下：(2)管子允许的最大电流ICM。乙类放大的输入输出波形关系:ui电路的改进克服交越失真的措施：R1uB1D1分析计算单个管子在半个周期内的管耗电源提供的直流平均功率计算：效率为：D1场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。NNP在栅源间加负电压VGS，令VDS=0①当VGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。②VDS↑→ID↑→靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。结型场效应三极管的特性曲线（2）转移特性曲线：ID=f（VGS）│VDS=常数UDS=0V时PPPP特性曲线预夹断曲线结型场效应管的缺点：MOS绝缘栅场效应管（N沟道）MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorG(3)工作原理及特性曲线PPPUGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。PP实验线路(共源极接法)（1）最大不失真输出功率Pomax4场效应管及其放大电路特点：存在较小的静态电流ICQ、IBQ。越靠近漏端，PN结反压越大越靠近漏端，PN结反压越大的影响，去掉交越失真。工作原理（以P沟道为例）窄，呈楔形分布。缺点：但又会引起截止失真。--------------Joint-Field-Effect-TransistorBJT与FET基本放大电路的性能比较(续)rd为输出电阻，类似于双极型晶体管的rce。种电路也称为OCL互补功率放大电路。②VDS↑→ID↑→靠近漏极处的③当│VGS│到一定值时，沟道会完全合拢。转移特性曲线场效应管的主要参数（4）输入电阻RGS结型场效应管，RGS大于107Ω，MOS场效应管,RGS可达109～1015Ω。增强型N沟道MOS管的特性曲线输出特性曲线场效应管的交流小信号模型压控电流源G很大，可忽略。(1)静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。直流偏置电路：保证管子工作在饱和区，输出信号不失真分压式自偏压电路场效应管的共源极放大电路uos步提高，进入良好的导通窄，呈楔形分布。交越失真产生的原因：在于晶体管特性存在非线性，ui<uT时晶体管截止。场效应管的交流小信号模型D1、D2使b1和b2之间的电位差等于2个二极管正向压降，克服交越失真（1）最大不失真输出功率Pomax一定UDS下的ID-UGS曲线BJT与FET基本放大电路的性能比较(续)种电路也称为OCL互补功率放大电路。UDS增加，UGD=VT时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。UGS<VpUGD=VP时--------------（4）输出电阻源极输出器uori输出电阻ro场效应管放大电路小结BJT与FET基本放大电路的性能比较输出电阻：双极型和场效应型三极管的比较